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公开(公告)号:CN105093087A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410218481.3
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 一种基于labview控制的TLP测试系统,包括供电系统、脉冲发生系统、电压电流测试系统、漏电流测试系统、探针台系统、上位机,所述供电系统为一高压电源通为同轴电缆充电,所述脉冲发生系统包括同轴电缆、湿簧管、衰减器、滤波器,同轴电缆通过湿簧管经衰减器、滤波器后输出,所述电压电流测试系统是示波器通过同轴线采集衰减器两端电压信号并经USB传输至电脑,经labview处理后显示并存储,所述漏电流测试系统是继电器在脉冲结束后选通漏电流测试仪测试待测器件漏电,所述探针台系统是通过同轴线连接脉冲发生系统输出端至PM5探针台。本发明的有益效果:性能稳定、脉冲波形平坦、控制方便、测试精度高。
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公开(公告)号:CN107545081A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610467274.0
申请日:2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出一种在射频集成电路中广泛使用的螺旋电感的高精度等效集总参数模型及参数提取方法。其主要步骤包括:(1)片上螺旋电感的数学模型建立。建立精确的RF螺旋电感RLC集总参数模型,包含相关RF寄生效应如涡流效应、趋肤效应、衬底损耗等。(2)根据工艺库建立其物理模型,并对版图进行S参数的仿真。(3)采用模拟的S参数提取电感RLC集总参数模型里的元件参数。本发明的有益效果是,可将高频情况下的片上电感的各种寄生效应考虑到模型中,并通过数值仿真的S参数来提取元件参数从而建立高精度的电感集总参数模型,此模型可方便地进行放入SPICE等EDA软件中用来做电路的时序和频域仿真。
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公开(公告)号:CN105095551A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216649.7
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种面向SOI工艺的供电电源电压的系统级优化方法,对基于SOI工艺的电路芯片在早期设计阶段进行考虑热效应的供电电源电压的优化设计,其主要步骤包括:芯片热模型的建立;芯片总功耗模型的建立;功耗关于和温度作为自变量的函数表达式;经由热模型建立与的自相关方程;建立温度意识的时延模型;定义有关时延与功耗的优化函数FOM;通过计算FOM的最小值从而求得的最优值。本发明的有益成果是,考虑了温度对SOI工艺下的芯片的功耗和电路性能的影响,在此基础上,对电源供电电压进行系统级的优化以最大化电路性能及最小化电路功耗。该优化方法的价值是尽可能早地以定量方式看到优化结果,以助于设计者的初期架构。
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