形状记忆合金复合膜热触发器

    公开(公告)号:CN1604258A

    公开(公告)日:2005-04-06

    申请号:CN200410067602.5

    申请日:2004-10-28

    Abstract: 一种形状记忆合金复合膜热触发器,用于微机械和电子控制器件领域。包括:形状记忆合金薄膜、硅偏置梁、硅固支框、触点、控制端口、间隔块、控制端口底座,其连接关系为:形状记忆合金薄膜沉积在硅偏置粱之上,硅偏置梁两端由硅固支框连接并支撑,触点位于硅偏置粱中心与控制端口相对应的位置上,硅偏置粱与控制端口间的距离由间隔块确定,控制端口和间隔块位于控制端口底座上。本发明运用形状记忆合金薄膜不仅可以与微机械工艺兼容,而且有效地改善了触发器的热响应特性。与其它此类触发器相比,本发明具有结构简单、输出位移和驱动力较大、温度敏感、体积小、易集成、适应于大阵列控制和大批量生产的显著优点。

    悬空结构射频微电感及其制作工艺

    公开(公告)号:CN1477655A

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:CN03129276.3

    申请日:2003-06-12

    Abstract: 一种悬空结构射频微电感及其制作工艺。属于微电子技术领域。包括:衬底、金属螺旋线圈、引线、支撑体、连接体、平面波导线,金属螺旋线圈与衬底之间设置有支撑体,支撑体一端与所述的金属螺旋线圈连接,支撑体的另一端与衬底连接,在金属螺旋线圈与引线连接处设置有连接体,连接体两端分别与金属螺旋线圈和引线相连接。工艺具体如下:(1)衬底基片清洗处理;(2)淀积Cr/Cu种子层;(3)甩胶;(4)曝光与显影;(5)电镀;(6)去胶及种子层;(7)甩胶;(8)曝光与显影;(9)电镀;(10)溅射铜种子层;(11)甩胶;(12)曝光与显影;(13)电镀;(14)去胶。本发明使微电感损耗大大降低,性能远远高于相同参数的平面微电感。

    双稳态电磁型微驱动器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1452202A

    公开(公告)日:2003-10-29

    申请号:CN03116583.4

    申请日:2003-04-24

    Abstract: 一种双稳态电磁型微驱动器及其制备方法,以分布于基体上的软磁衬底为基础,其上分两侧对称设置一对永磁体基座,软磁性扭梁通过软磁过渡层安置在一对基座之上形成桥式结构,桥的两侧衬底上分别设置一组包含铁芯的平面绕组;扭梁中部的两侧双向水平伸展软磁性悬臂梁,悬臂梁两端处于平面绕组的上方,并在悬臂梁和绕组之间形成可供悬臂梁运动的气隙。在上述构造中,永磁体借助衬底的联系作用与扭梁、悬臂梁和绕组构成两个并联磁回路,借助绕组中脉冲电流方向的改变可以任意选择其中气隙之一闭合,靠永磁力实现双稳态。本发明可借助微机械加工技术完全集成制造,使悬臂梁驱动导电触点并接入信号线路,便可构成机械式微开关或者微继电器。

    微机械光纤定位器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1349116A

    公开(公告)日:2002-05-15

    申请号:CN01132270.5

    申请日:2001-11-22

    Abstract: 微机械光纤定位器主要包括:光纤、光纤定位基准面、光纤夹紧弹簧片、基体和基底,光纤、光纤定位基准面、光纤夹紧弹簧片、基体设置在基底上,光纤夹紧弹簧片与基体和基底相连,光纤夹紧弹簧片将光纤压向光纤定位基准面和基底。本发明具有实质性特点和显著进步,该定位器具有面积小,加工精度高,一致性及可靠性好,插入损耗低的优点,能与微电子机械系统器件系统集成,从而实现微电子机械系统光学器件批量化、集成化生产。

    微型回转式1×N光开关
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1285522A

    公开(公告)日:2001-02-28

    申请号:CN00125380.8

    申请日:2000-09-26

    Abstract: 微型回转式1×N光开关发明整体结构主要包括:多面体棱镜、转动部分、电磁驱动部分、基板、轴承、转轴、外壳,多面体棱镜固定于转轴的输出端,转动部分设在外壳内的上下两侧的双电磁驱动部分之间,与转轴固定联接,同时转动或静止,基板设在外壳的上下两侧的双电磁驱动部分外,转轴由轴承支承。

    集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构

    公开(公告)号:CN101236177B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200810033995.6

    申请日:2008-02-28

    Abstract: 一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构,属于微型电子器件领域。本发明包括下电极、镂空电极和离子检测电极,下电极与镂空电极之间构成气体放电区域,镂空电极与离子检测电极之间构成离子漂移区域;下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜,镂空电极可以使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子能够部分地运动到气体放电区域之外,镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层。相对于局部放电电流幅值检测,本发明应用于离化气体传感器,能够显著提高其选择性、稳定性、寿命和可靠性,提高识别气体的精度和准确度。

    多级式离子射流装置与方法

    公开(公告)号:CN100585840C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200810201599.X

    申请日:2008-10-23

    Inventor: 侯中宇 蔡炳初

    Abstract: 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的多级式离子射流装置与方法。所述装置包括第一、第二加速电极和末端镂空电极,第一和第二加速电极交替排列,构成多级电极结构,每两个相邻的第一和第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘,末端镂空电极位于多级电极结构的末端,末端镂空电极和与其相邻的第一加速电极或第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘。所述方法利用极化电极阵列尖端部分的电场收敛效应,使得电极邻近区域的电场强度增强,从而电离邻近区域的气体分子,采用多级式离子射流装置结构,施加电压,形成离子射流。本发明能够提高电离效率,降低工作电压,在多种气体—等离子体环境下工作。

    刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法

    公开(公告)号:CN100570828C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200710043745.6

    申请日:2007-07-12

    Abstract: 一种属于微细加工技术领域的刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法。具体包括如下步骤:(1)沉积氮化铝薄膜;(2)制备微掩模图形;(3)对氮化铝薄膜进行图形化:置入等离子体刻蚀真空腔中,产生氟基混合气体等离子体,利用物理轰击、化学反应或者两者综合作用对非图形区域的氮化铝薄膜进行刻蚀;(4)去除掩模层。本发明可以对微器件中的氮化铝薄膜进行高质量的图形加工,其优势在于图形质量高、对器件中的金属电极无腐蚀性、反应产物对环境友好。

    一维纳米材料的三维微构型制备方法

    公开(公告)号:CN100517063C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200510028437.7

    申请日:2005-08-04

    Abstract: 一种纳米技术领域的一维纳米材料的三维微构型制备方法,包括:基片准备:对用于制备微构型的基片进行预处理;金属微电铸:在经处理后的基片上形成具有所需结构与排列特征的金属电极结构的光刻胶微铸模,并在微铸模中电镀金属材料构成金属微构型;丝网印刷一维纳米材料浆料:包括制备一维纳米材料浆料,并采用丝网印刷方法将一维纳米材料浆料涂敷在所形成的金属微构型结构的侧壁和表面;微结构固化成型:通过加热和保温处理,去除形成的一维纳米材料微构型中的有机物,稳定一维纳米材料结构。本发明与微电子制造工艺有极好的兼容性,可以得到较佳的加工精度,并且工艺简单,很适于批量制作。

    微型人类呼吸传感器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100493452C

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200510112217.2

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括:衬底、微电极或者其阵列层,微电极或者其阵列层设置在衬底上,微电极或者其阵列层中,微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高,信噪比高,不需要接触人体,安全性、稳定性高,根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏,敏感单元核心能耗处于10-5瓦特数量级,结构简单,适于量产,易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。

Patent Agency Ranking