公开(公告)号：CN114975335B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202210157788.1

申请日：2022-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺户悠贵 ,  鱼田紫织 ,  酒井伸次

IPC: H01L23/495 ,  H10D80/30 ,  H10D80/20

Abstract: 得到能够提高散热性并且确保绝缘耐量的半导体封装件。多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)分别设置于多个芯片焊盘(3a～3d)之上。多个引线端子(6a～6f)分别与多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)连接。封装件(7)将多个芯片焊盘(3a～3d)、多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)及多个引线端子(6a～6f)封装。多个芯片焊盘(3a～3d)和多个引线端子(6a～6f)从封装件(7)的下表面露出。在封装件(7)的下表面，在相邻的芯片焊盘(3a～3d)之间及相邻的引线端子(6a～6f)之间设置有槽(8)。

公开(公告)号：CN114975335A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210157788.1

申请日：2022-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺户悠贵 ,  鱼田紫织 ,  酒井伸次

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16

Abstract: 得到能够提高散热性并且确保绝缘耐量的半导体封装件。多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)分别设置于多个芯片焊盘(3a～3d)之上。多个引线端子(6a～6f)分别与多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)连接。封装件(7)将多个芯片焊盘(3a～3d)、多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)及多个引线端子(6a～6f)封装。多个芯片焊盘(3a～3d)和多个引线端子(6a～6f)从封装件(7)的下表面露出。在封装件(7)的下表面，在相邻的芯片焊盘(3a～3d)之间及相邻的引线端子(6a～6f)之间设置有槽(8)。

公开(公告)号：CN106531704B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201610827463.4

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鱼田紫织 ,  为谷典孝 ,  井上贵公 ,  米山玲

IPC: H01L23/34

Abstract: 寿命推定电路(3)具有：温度检测器(4)，其对功率元件部(1)的温度进行检测；拐点检测部(5)，其基于温度检测器(4)的输出信号(Vt)，对功率元件部(1)的温度变化的拐点进行检测；运算部(8)，其求出本次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度与前次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度之差的绝对值；计数电路(9)，其对温度差的绝对值达到阈值温度(Tth)的次数进行计数；以及信号发生部(10)，其在计数电路(9)的计数值(C)达到阈值次数(Cth)的情况下，输出表示功率元件部(1)的寿命已至的警告信号(AL)。

公开(公告)号：CN106716622B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201580052629.3

申请日：2015-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅健一 ,  钓本崇夫 ,  盐田裕基 ,  诸熊健一 ,  折田昭一 ,  为谷典孝 ,  井上贵公 ,  鱼田紫织

IPC: H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F19/00 ,  H01F27/32 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L24/03 ,  G11C11/34 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/32 ,  H01F2027/2809 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/62 ,  H01L23/645 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H04L1/0006 ,  H05K7/1432

Abstract: 使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由电阻率比第1电介质低的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由电阻率比第1电介质低的第3电介质构成，或者使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由介电常数比第1电介质高的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由介电常数比第1电介质高的第3电介质构成。

公开(公告)号：CN103268135B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210466744.3

申请日：2012-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鱼田紫织 ,  井上贵公 ,  玉木恒次 ,  折田昭一

IPC: G05F1/66

CPC classification number: G05F1/66 ,  H02M1/08 ,  H02M1/44 ,  H02M2001/0054 ,  H03K3/012 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/162 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明涉及功率器件控制电路和功率器件电路。功率器件控制电路（200）向功率器件（100）的栅极端子（100a）输入栅极驱动信号，具备：控制信号输入电路（2），接收用于控制功率器件（100）的功率器件控制信号（1a）；驱动系统控制电路（4），连接于控制信号输入电路（2）；驱动电路（5），具有多个驱动系统（5a、5b、5c），并且从驱动系统控制电路（4）接收驱动电路控制信号（1c）来驱动功率器件（100）；以及定时器电路（3），在输入规定的信号、即功率器件控制信号（1a）之后的一定时间后，根据驱动电路控制信号（1c）切换多个驱动系统（5a、5b、5c），由此使驱动系统控制电路（4）的驱动能力变化。

公开(公告)号：CN101165915B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710139927.3

申请日：2007-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺岛知秀 ,  鱼田紫织

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/735 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821

Abstract: 本发明提供一种抑制了寄生动作的半导体装置。该半导体装置具有n-区域(2a)、与n-区域(2a)分离地形成的n-区域(2c)、形成在n-区域(2a)和n-区域(2c)之间的n-区域(2b)、配置于n-区域(2c)和n-区域(2b)之间并具有比p-区域(1)低的电阻的p扩散区域(4b)。具有以与n-区域(2a)的方式形成的发射极(7)。具有以与n-区域(2c)接触的方式形成的发射极(9)。具有形成在被n-区域(2a)和n-区域(2b)夹持的区域的基极(8)。n-区域(2b)和p扩散区域(4b)通过导线(11)电连接。n-区域(2b)与n-区域(2c)的距离Y大于n-区域(2b)的宽度X。