公开(公告)号：CN111902913B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201880091772.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01L21/301 ,  H01S5/02

Abstract: 特征在于，具有下述步骤：在形成了放射出光的有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将由比该基板脆性小的材料形成的层叠物设置为在该第1电极和该第2电极之间的区域的一部分位于该有源区域的正下方；以及在使该层叠物位于该有源区域的正上方的状态下，通过将该基板与该层叠物一起进行解理而使出现了该有源区域的平面露出。

公开(公告)号：CN116171517A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202080104305.0

申请日：2020-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木正人 ,  楠政谕

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明的虚设条在将绝缘膜在激光二极管条(30)的前端面(32)以及后端面(34)成膜时使用，具备：主体部(12)，其具有板形状并具有与长度方向垂直并相互对置的一对侧面(14)、和与一对侧面垂直并且与板形状的厚度方向平行并相互对置的上表面(16)及下表面(18)，主体部的长度方向的长度与激光二极管条(30)的长度方向的长度相同；和把手部(20)，其在一对侧面(14)中设置于离开下表面(18)的位置。

公开(公告)号：CN113498545A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201980076194.4

申请日：2019-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上辻哲也 ,  渊田步 ,  铃木正人

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明的半导体芯片制造装置(10、20、30、40)设置于填充有液体(1a、1b、1c)的壳体(2)中，将半导体晶片(5)分割来制作多个LD芯片，其中，半导体晶片(5)预先形成有划分线(8)并刻有划线(7)，并且沿着该划线(7)形成有微小裂纹，半导体芯片制造装置(10、20、30、40)具备：承受台(4)，其保持上述半导体晶片(5)；以及刀刃(3)，其沿着由上述划分线(8)或上述划线(7)构成的裂纹部(6)对上述半导体晶片(5)进行加压，上述半导体晶片(5)利用上述刀刃(3)在上述液体(1a、1b、1c)中沿着上述裂纹部(6)对半导体晶片(5)进行加压而分割为多个LD芯片。

公开(公告)号：CN107851563B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201680039593.X

申请日：2016-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川兼司 ,  铃木正人

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00

Abstract: 半导体元件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面中形成多个半导体元件(12)；形成配置到分割基准线上的多个劈开槽群(20)；以及沿着分割基准线(14)将晶片(11)劈开，而使多个半导体元件(12)相互分离。针对多个半导体元件(12)中的、相互相邻的4个半导体元件(12)，配置多个劈开槽群(20)的至少1个。多个劈开槽群(20)分别包括在分割基准线(14)上配置的多个劈开槽(21、22、23)。由此，能够提高半导体元件(12)的制造成品率。

公开(公告)号：CN111902913A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091772.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉野达郎 ,  铃木正人 ,  根岸将人 ,  吉川兼司

IPC: H01L21/301 ,  H01S5/02

Abstract: 特征在于，具有下述步骤：在形成了放射出光的有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将由比该基板脆性小的材料形成的层叠物设置为在该第1电极和该第2电极之间的区域的一部分位于该有源区域的正下方；以及在使该层叠物位于该有源区域的正上方的状态下，通过将该基板与该层叠物一起进行解理而使出现了该有源区域的平面露出。

公开(公告)号：CN110546832A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880025305.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川兼司 ,  根岸将人 ,  铃木正人 ,  吉野达郎

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/301

Abstract: 半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a-20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a-20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a-20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a-20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a-20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。