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公开(公告)号：CN1459926A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03101296.5
申请日：2003-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/193
Abstract: 功率放大器的放大部(28)包括第1～第3级放大级(422、423、425)和与第1级放大级(422)并联设置的信号传送部(58)。当将模式选择电压Vmod2设定为L电平时，输入信号(IN1800)由第1～第3级放大级(422、423、425)进行放大。这时，信号传送部(58)不进行信号传送。另一方面，当将模式选择电压Vmod2设定为H电平时，信号传送部(58)将输入信号(IN1800)经由二极管(D1)传送至晶体管(Tr2)。这时，控制电压Vmod1800被设定为L电平，第1级放大级(422)处于关断状态，功耗减小。根据以上所述，可以提供既能抑制接收频带的噪声功率，又能进行适合于GSM/EDGE模式的增益切换的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1424762A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155787.X
申请日：2002-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/302 , H03F3/602 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/429 , H03F2203/7209
Abstract: 最终级功率放大晶体管(Trg3，Trd3)的单位晶体管混合配置在最终输出放大晶体管形成区域PW3内。另外，用以连接这些最终输出级晶体管的输出信号线之间连接有电感元件(Lcc)。可以在不使频带间隔离劣化的情况下，避免双频带功率放大器的最终级晶体管中发生电流集中。
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公开(公告)号：CN117882195A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180101616.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 铃木敏
IPC: H01L29/778 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备：SiC基板；AlN核形成层，设置于上述SiC基板之上；AlGaN缓冲层，设置于上述AlN核形成层之上；GaN沟道层，设置于上述AlGaN缓冲层之上；AlGaN阻挡层，设置于上述GaN沟道层之上；以及漏极电极、源极电极以及栅极电极，设置于上述AlGaN阻挡层的上方，上述AlGaN缓冲层的Al组成比随着从上述SiC基板朝向上述GaN沟道层而减少，上述AlN核形成层的厚度为30nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403963A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110155562.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F3/189 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/27 , H03F2200/411 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
Abstract: 本发明涉及能够在不增加芯片面积和成本的情况下抑制漏电流的功率放大器。偏置电路（B1、B2）基于从参考电压产生电路（VG）供给的参考电压生成偏置电压，对放大晶体管（A1、A2）供给偏置电压。变换器（INV）对使能电压进行升压并输出。参考电压产生电路（VG）根据变换器（INV）的输出电压进行接通（ON）或断开（OFF）。变换器（INV）具有使能端子（Ven）、电源端子（Vcb）、晶体管（Tri1）、FET电阻（Fdi2）。晶体管（Tri1）的基极与使能端子（Ven）连接，集电极与电源端子（Vcb）连接，发射极接地。FET电阻（Fdi2）连接在晶体管（Tri1）的集电极和电源端子（Vcb）之间，FET电阻（Fdi2）的栅极电极开路。
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公开(公告)号：CN101355345A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810088567.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，当切换主功率放大器和辅助功率放大器时，能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。
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公开(公告)号：CN1268055C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03101296.5
申请日：2003-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/193
Abstract: 功率放大器的放大部(28)包括第1～第3级放大级(422、423、425)和与第1级放大级(422)并联设置的信号传送部(58)。当将模式选择电压Vmod2设定为L电平时，输入信号(IN1800)由第1～第3级放大级(422、423、425)进行放大。这时，信号传送部(58)不进行信号传送。另一方面，当将模式选择电压Vmod2设定为H电平时，信号传送部(58)将输入信号(IN1800)经由二极管(D1)传送至晶体管(Tr2)。这时，控制电压Vmod1800被设定为L电平，第1级放大级(422)处于关断状态，功耗减小。根据以上所述，可以提供既能抑制接收频带的噪声功率，又能进行适合于GSM/EDGE模式的增益切换的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1474445A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03110311.1
申请日：2003-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: G01R31/2608
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，从所述晶体层测量光致发光的光强度达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及从所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。
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公开(公告)号：CN1356727A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01125704.0
申请日：2001-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L29/737
Abstract: 本发明的课题是,构成单个晶体管元件的多个晶体管单元(Tr11～Trmn)被分割成多个区块(BLK1～BLKm)进行配置。分别对各个区块(BLK1～BLKm)配置了用于分别提供独立的偏置电流(Ib1～Ibm)的多个偏置电流供给电路(10－1～10－m)。因偏置电流供给电路(10－1～10－m)中的每一个具有设定成使电流驱动能力随相应的偏置电流的增加而降低的偏置状态的晶体管(Trb1～Trbm),所以能够对因热不均匀性引起的偏置电流的增加进行负反馈。
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