公开(公告)号：CN1604415A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410057521.7

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西田武弘 ,  宮下宗治 ,  山口勉

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，即，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，且包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第1区域中形成的、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；在半导体衬底上的第2区域中形成的、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成。此外，第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，而且，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。

公开(公告)号：CN114762201A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201980102505.X

申请日：2019-12-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绵谷力 ,  宫下宗治 ,  西田武弘

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22

Abstract: 具备：半导体层，由形成于n型GaAs基板(101)表面的n型包覆层(102)、形成于n型包覆层(102)表面的活性层(103)、形成于活性层(103)表面的具有脊部(104a、105a)的p型包覆层(104)以及形成于p型包覆层(104)表面的p型接触层(105)构成；绝缘膜(150a、150b)，覆盖上述半导体层的表面并在p型接触层(105a)的表面具有开口部；以及导电层，经由上述开口部与p型接触层(105a)连接，直到设置于与上述脊部邻接的上述半导体层的平坦部为止形成于绝缘层(150b)的表面，在上述导电层，在靠近上述脊部的上述平坦部设置有凸状的侧壁，侧壁将焊料的扩展限制在非发光区域的附近，由此防止元件间的电短路。

公开(公告)号：CN101350500B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810125560.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久义浩 ,  山口勉 ,  西田武弘 ,  平松健司

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/028 ,  H01S5/022 ,  H01L27/15 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。

公开(公告)号：CN101447640A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810165771.0

申请日：2008-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  田代贺久 ,  森健三 ,  坂本博夫 ,  西田武弘

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。

公开(公告)号：CN101350500A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810125560.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久义浩 ,  山口勉 ,  西田武弘 ,  平松健司

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/028 ,  H01S5/022 ,  H01L27/15 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外，在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且，使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料，将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且，在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域，使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。

公开(公告)号：CN100382399C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510119477.2

申请日：2005-11-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  西田武弘 ,  西口晴美 ,  多田仁史 ,  吉田保明

IPC: H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。