公开(公告)号：CN102299172B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201110110576.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种能够抑制衬底中央部的温度上升的功率用半导体装置。功率用半导体装置（10A）具有半导体衬底（100A），在半导体衬底（100A）的厚度方向（103）流过电流。半导体衬底（100A）包括以如下方式构成的电阻控制结构：针对上述电流的电阻在半导体衬底（100A）的中央部比半导体衬底（100A）的外周部高。

公开(公告)号：CN303755817S

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201630058618.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Designer： 林田幸昌 ,  井浦真一 ,  上村仁 ,  大宅大介 ,  羽鸟宪司 ,  酒井康裕 ,  津田亮 ,  伊达龙太郎

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：功率半导体元件。2．本外观设计产品的用途：本产品是以半导体为主要材料的电路元件。3．本外观设计的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图1。