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公开(公告)号:CN106981479B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201710038848.7
申请日:2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法。功率模块具有:下桥臂用的第一MOS晶体管(Q1)及第一肖特基势垒二极管(D1)、以及上桥臂用的第二MOS晶体管(Q2)及第二肖特基势垒二极管(D2)。在一个实施方式中,正侧以及负侧的电源端子(P、N)各设置1个,与第一及第二MOS晶体管(Q1、Q2)连接的输出端子(MO)和与第一及第二肖特基势垒二极管(D1、D2)连接的输出端子(DO)分离。
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公开(公告)号:CN103915425A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201310744991.X
申请日:2013-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H03K17/567 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/12 , H03K2217/0036 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014
Abstract: 针对使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置,将装置整体小型化。IGBT及MOSFET中的配置在栅极控制电路的附近的晶体管,将从栅极控制电路发送来的栅极控制信号,发送至配置在远离栅极控制电路的位置处的晶体管的栅极。而且,经由电阻元件,将栅极控制信号发送至配置在栅极控制电路的附近的晶体管。
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