半导体装置以及电力变换装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117461138A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202180099180.1

    申请日:2021-06-14

    Abstract: 使半导体元件的表面的表面电极和设置于表面电极上的金属箔部分性地接合,所以能够缓和在金属箔的端部发生的应力,能够抑制由于对半导体元件表面形成裂纹引起的故障,能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置具备:半导体元件(1),具有表面和背面;表面电极(2),形成于半导体元件(1)的表面上;以及金属箔(3),部分性地接合到表面电极(2)的上表面上。

    2合1型斩波器模块
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133577B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN201780095131.4

    申请日:2017-09-28

    Abstract: 本发明的目的在于,在2合1型斩波器模块中抑制导线的温度循环寿命的下降。本发明的2合1型斩波器模块(141、142、143)具有:开关晶体管(103);第1二极管(104),其与开关晶体管(103)反向并联连接;第2二极管(106),其与开关晶体管(103)及第1二极管(104)串联连接;第1配线图案(115),其搭载开关晶体管(103)及第1二极管(104);以及第2配线图案(114),其搭载第2二极管(106),开关晶体管(103)与第1二极管(104)的正向通电时的电力损耗大致相同,第2二极管(106)的有效面积大于第1二极管(104)的有效面积。

    半导体装置及其制造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109155293B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201780028697.5

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 半导体装置(100)具备电力用半导体元件(10)、树脂膜(11)以及密封绝缘材料(13)。电力用半导体元件(10)包括:覆盖半导体基板(1)的一个主表面的第一区域(1c)的第一电极(3);形成于半导体基板(1)的另一个主表面的第二电极(5);形成于作为第一区域(1c)的外侧的第二区域(1d)的保护环(8);以及在第二区域(1d)覆盖保护环(8)的非导电无机膜(9)。树脂膜(11)在俯视时与保护环(8)重叠,非导电无机膜(9)上的树脂膜(11)的厚度为35μm以上。树脂膜(11)是单层膜,树脂膜(11)的最外边缘(11b)具有在下侧变大的倒角形状。树脂膜(11)的最外边缘(11b)配置于比半导体基板(1)的最外边缘靠内侧的位置。

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