公开(公告)号：CN109716531B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201680089391.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 折附泰典 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体装置，该碳化硅半导体装置具备：第2导电型的第3杂质区域，其配置于外周区域，该外周区域为配置单位单元的单元配置区域的外周；场绝缘膜，其配置于外周区域，比栅极绝缘膜厚；层间绝缘膜，其配置于场绝缘膜、栅极电极及栅极绝缘膜之上；第1主电极，其配置于层间绝缘膜之上；以及栅极配线及栅极焊盘，它们经由配置于场绝缘膜之上的栅极电极而彼此电连接，第3杂质区域具有选择性地设置于其上层部并与第3杂质区域相比杂质浓度高的第2导电型的第4杂质区域，栅极配线及栅极焊盘设置于外周区域，第4杂质区域与单元配置区域相邻地设置，并且该第4杂质区域以至少将栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置，与第1主电极电连接。

公开(公告)号：CN105702717A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610222047.1

申请日：2011-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 末川英介 ,  折附泰典 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。

公开(公告)号：CN104064591A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410216921.1

申请日：2011-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 末川英介 ,  折附泰典 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。

公开(公告)号：CN102903702A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210117261.2

申请日：2012-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 折附泰典 ,  油谷直毅 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L23/64 ,  H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测温电阻体（20），使用该布线层的势垒金属（14）的一部分形成。