公开(公告)号：CN109643667B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201680088683.8

申请日：2016-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大久野幸史 ,  鹿间省三 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及以下技术，即，在对半导体装置施加高电压的测试时，为了防止损伤波及到探针，对在探针的附近产生点破坏进行抑制。在半导体装置的测定方法中，半导体装置具备：半导体衬底(1)；外延层(2)；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3)，其在外延层的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)；阳极电极(12)；以及阴极电极(13)。使探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个第2导电型区域的轮廓的范围内的阳极电极的上表面接触，施加电压。

公开(公告)号：CN105393363B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480034461.9

申请日：2014-05-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  三浦成久 ,  浜田宪治 ,  大久野幸史

IPC: H01L29/861 ,  G03F1/70 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具备能够在抑制制造时的抗蚀剂垮塌的同时有效地缓和电场集中的终端区域的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：形成于由第1导电类型的碳化硅半导体构成的半导体基板的半导体元件(110)；以及在俯视时包围半导体元件(110)而形成于半导体基板(1)的第2导电类型的多个环状区域(2)，多个环状区域(2)中的至少一个具备使该环状区域(2)的在俯视时内侧和外侧的第1导电类型的区域在俯视时相互连通的一个以上的第1导电类型的隔开区域(5)。