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    半导体装置以及电力变换装置
    11.
    发明授权
    半导体装置以及电力变换装置 有权

    公开(公告)号：CN113994467B

    公开(公告)日：2025-04-04

    申请号：CN201980097627.4

    申请日：2019-06-25

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 和田幸彦

    IPC: H01L23/58 ,  G01R31/66 ,  G01R31/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 发射极主端子(3)通过多个第1键合线(15)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。发射极参考端子(4)通过第2键合线(16)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。劣化部位确定部(9)参考规定了针对作为集电极主端子(2)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第1电压的时间变化以及作为发射极参考端子(4)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第2电压的时间变化的组合的、多个第1键合线(15)与分别连接的发射极电极面(12)之间的多个接合部位(20)之中的劣化部位的对应信息，确定与由第1电压测量电路(5)测量的第1电压的时间变化以及由第2电压测量电路(6)测量的第2电压的时间变化的组合对应的劣化部位。

    半导体元件的驱动方法及驱动装置以及电力变换装置
    14.
    发明授权
    半导体元件的驱动方法及驱动装置以及电力变换装置 有权

    公开(公告)号：CN110546886B

    公开(公告)日：2023-01-06

    申请号：CN201780089781.8

    申请日：2017-12-19

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 和田幸彦

    IPC: H03K17/16 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H03K17/567

    Abstract: 半导体元件通过依照驱动控制信号(Ssw)控制栅电压而进行接通断开控制。在依照驱动控制信号(Ssw)驱动半导体元件的栅时，通过在栅电压(Vg)的密勒期间(200)的开始后的第1时刻(t1)，使驱动信号(Sdr)从“1”变化为“0”，相比于从开通动作的开始时刻(ts)至第1时刻(t1)的期间，栅驱动能力临时地降低。进而，通过在与密勒期间(200)的结束对应的第2时刻(t2)，使驱动信号(Sdr)从“0”变化为“1”，栅驱动能力上升。

    半导体装置以及电力变换装置
    15.
    发明公开
    半导体装置以及电力变换装置 有权

    公开(公告)号：CN115210868A

    公开(公告)日：2022-10-18

    申请号：CN202080097880.2

    申请日：2020-03-06

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 和田幸彦

    IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H02M7/48

    Abstract: 在该半导体装置(1)中，功率半导体元件(2)的发射极电极(5)包括：第1副电极(5a)，形成于半导体基板(3)的表面的包括中央部的区域；以及第2副电极(5b)，形成于半导体基板的表面的不包括中央部的区域。第1键合线(21～23)将第1副电极与发射极端子(13)进行连接。第2键合线(24～26)将第2副电极与发射极端子进行连接。第1以及第2电压检测器(41、42)分别检测第1以及第2副电极与发射极端子之间的电压。能够分别检测在初期劣化的第1键合线和在末期劣化的第2键合线这两方的劣化。

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