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公开(公告)号：CN110785933B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880038917.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
Abstract: 在短路保护电路(11)中，第1栅极电阻(12)连接于栅极驱动器(27)的第1输出节点(50)与第1栅极端子(40)之间。第1实时控制电路(10)在检测到在第1半导体开关元件(9)中流过短路电流的情况下，以使第1栅极端子(40)的电位减小的方式动作。动作监视电路(11)包括构成为输出与第1栅极电阻(12)的两端的电位差成比例的电位和第1电源(6)的电位的电位差的差电压电路(20)。动作监视电路(11)根据差电压电路(20)的输出，监视第1实时控制电路(10)是否动作。
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公开(公告)号：CN115210868B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202080097880.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 和田幸彦
Abstract: 在该半导体装置(1)中，功率半导体元件(2)的发射极电极(5)包括：第1副电极(5a)，形成于半导体基板(3)的表面的包括中央部的区域；以及第2副电极(5b)，形成于半导体基板的表面的不包括中央部的区域。第1键合线(21～23)将第1副电极与发射极端子(13)进行连接。第2键合线(24～26)将第2副电极与发射极端子进行连接。第1以及第2电压检测器(41、42)分别检测第1以及第2副电极与发射极端子之间的电压。能够分别检测在初期劣化的第1键合线和在末期劣化的第2键合线这两方的劣化。
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公开(公告)号：CN117501136A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202180099161.9
申请日：2021-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 和田幸彦
IPC: G01R31/26
Abstract: 寿命诊断装置(1)具备Vce放大器(12)、Vee放大器(13)以及寿命诊断部(21)。Vce放大器(12)测量和搭载于半导体装置(2)的半导体元件(5)的集电极电极连接的集电极主端子(6)与和半导体元件(5)的发射极电极连接的发射极主端子(8)之间的电压(Vce)。Vee放大器(13)测量发射极主端子(8)与和发射极电极连接的发射极参考端子(9)之间的电压Vee。寿命诊断部(21)使用电压Vce的经时变化和电压Vee的经时变化的相关值，诊断半导体装置(2)的寿命。
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公开(公告)号：CN117378144A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202180098382.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
Abstract: 关于半导体元件，通过依照驱动控制信号(Ssw)控制栅极电压而控制导通截止。在根据驱动控制信号(Ssw)从第1电平(0)迁移到第2电平(1)而对栅极充电的接通动作中，通过在栅极电压(Vg)的镜像期间(200)结束后的第1时刻(t1)，将驱动信号(Sdr)设定为第1电平(0)而使栅极放电，设置栅极电压(Vg)临时降低的电压降低期间(210)。在第2时刻(t2)，驱动信号(Sdr)被再次设定为第2电平(1)，开始栅极的充电。
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公开(公告)号：CN110785933A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880038917.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
Abstract: 在短路保护电路(11)中，第1栅极电阻(12)连接于栅极驱动器(27)的第1输出节点(50)与第1栅极端子(40)之间。第1实时控制电路(10)在检测到在第1半导体开关元件(9)中流过短路电流的情况下，以使第1栅极端子(40)的电位减小的方式动作。动作监视电路(11)包括构成为输出与第1栅极电阻(12)的两端的电位差成比例的电位和第1电源(6)的电位的电位差的差电压电路(20)。动作监视电路(11)根据差电压电路(20)的输出，监视第1实时控制电路(10)是否动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546886A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201780089781.8
申请日：2017-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 和田幸彦
Abstract: 半导体元件通过依照驱动控制信号(Ssw)控制栅电压而进行接通断开控制。在依照驱动控制信号(Ssw)驱动半导体元件的栅时，通过在栅电压(Vg)的密勒期间(200)的开始后的第1时刻(t1)，使驱动信号(Sdr)从“1”变化为“0”，相比于从开通动作的开始时刻(ts)至第1时刻(t1)的期间，栅驱动能力临时地降低。进而，通过在与密勒期间(200)的结束对应的第2时刻(t2)，使驱动信号(Sdr)从“0”变化为“1”，栅驱动能力上升。
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公开(公告)号：CN118984943A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202280093971.8
申请日：2022-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 和田幸彦
IPC: G01R31/26
Abstract: 在半导体特性测定装置(101)中，第一电位差测量装置(102)测量与功率半导体元件(2)的第一以及第二主电极分别连接的2个连接端子(4、6)之间的第一电位差(VCE)。第二电位差测量装置(103)测量在向第二主电极的或者从第二主电极的主电流的电流路径的不同的位置连接的2个连接端子(6、7)之间的第二电位差(VEE)。存储装置(104)存储第一电位差、元件温度以及主电流之间的第一关系和第二电位差、元件温度以及主电流之间的第二关系。处理装置(105)在根据第一关系确定的、与第一电位差的测量值对应的元件温度的值以及主电流的值和根据第二关系确定的、与第二电位差的测量值对应的元件温度的值以及主电流的值一致的情况下，将一致的元件温度的值以及一致的主电流的值作为当前时间点的推测值输出。
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公开(公告)号：CN113994467A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201980097627.4
申请日：2019-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 和田幸彦
Abstract: 发射极主端子(3)通过多个第1键合线(15)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。发射极参考端子(4)通过第2键合线(16)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。劣化部位确定部(9)参考规定了针对作为集电极主端子(2)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第1电压的时间变化以及作为发射极参考端子(4)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第2电压的时间变化的组合的、多个第1键合线(15)与分别连接的发射极电极面(12)之间的多个接合部位(20)之中的劣化部位的对应信息，确定与由第1电压测量电路(5)测量的第1电压的时间变化以及由第2电压测量电路(6)测量的第2电压的时间变化的组合对应的劣化部位。
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公开(公告)号：CN107980199B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201680045236.4
申请日：2016-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电源开关装置(100)包含相互并联连接的多个半导体开关元件(T1a、T1b)以及多个平衡电阻部(Ra、Rb)。多个平衡电阻部(Ra、Rb)的各一端与对应的半导体开关元件(T1a、T1b)的控制电极连接，对各另一端输入共通的控制信号。各平衡电阻部(Ra、Rb)构成为根据控制信号，在多个半导体开关元件(T1a、T1b)导通的情况下和截止的情况下，其电阻值切换为不同的值。
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公开(公告)号：CN107980199A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201680045236.4
申请日：2016-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电源开关装置(100)包含相互并联连接的多个半导体开关元件(T1a、T1b)以及多个平衡电阻部(Ra、Rb)。多个平衡电阻部(Ra、Rb)的各一端与对应的半导体开关元件(T1a、T1b)的控制电极连接，对各另一端输入共通的控制信号。各平衡电阻部(Ra、Rb)构成为根据控制信号，在多个半导体开关元件(T1a、T1b)导通的情况下和截止的情况下，其电阻值切换为不同的值。
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