公开(公告)号：CN1330405A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜,形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后,在包含CF