公开(公告)号：CN111742377A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201880090042.5

申请日：2018-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: G21F7/00

Abstract: 电子部件装置具有：框体，其由如果接收到放射线则产生电荷而使放射线的能量丧失的部件形成；以及电子部件，其收容于框体。上述部件是具有PN结的半导体元件部件。电子部件具有与电源连接的电源端子和与接地连接的接地端子。也可以是框体的第一部位与将电源和电源端子连结的电气路径连接，框体的第二部位与将接地和接地端子连结的电气路径连接。也可以还具有电源控制电路，该电源控制电路在大于或等于预先确定的判定值的大小的电流流过框体时，使从电源向电子部件供给的电源电压降低。

公开(公告)号：CN103531587B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310276288.0

申请日：2013-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，能够在不使散热性恶化的情况下使装置整体的横向宽度缩短，并且，能够使各晶体管的特性均一。半导体衬底（1）由4H-SiC、6H-SiC、GaN、蓝宝石、ZnO、AlN、BeO等六方晶体构成。在该半导体衬底（1）的c面上设置有晶体管（2）、（3）。晶体管（2）、（3）的源极电极（4）、漏极电极（5）以及栅极电极（6）分别连接。在从与半导体衬底（1）的c面垂直的方向观察的俯视图中，晶体管（2）、（3）的栅极电极（6）彼此所成的角度是60度或120度。

公开(公告)号：CN102832132B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210191772.9

申请日：2012-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/778 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。在对于可见光透明的半导体基板（1）的表面形成源极电极（2）以及漏极电极（3）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间形成表面侧栅极电极（4）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间以外的区域形成对准标记（5）。基于能够透过半导体基板（1）观察到的对准标记（5），对半导体基板（1）进行对位，在半导体基板（1）的背面，在与表面侧栅极电极（4）对置的位置形成背面侧栅极电极（6）。

公开(公告)号：CN101345241B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810085238.3

申请日：2008-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/085 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的目的是提供一种3维结构的半导体装置，其能够在既避免制造工序的复杂化又高精度地把握在多个半导体层中分别形成的半导体元件的位置关系的同时来进行制造。准备作为透明衬底的SiC衬底(2)，在该SiC衬底(2)中形成布线(30、32)、晶体管(10)之后，在其上使GaN层(6)外延生长，接着，在GaN层(6)中形成布线(18、32)。以与布线(18、32)电连接的方式形成晶体管(20)。

公开(公告)号：CN101345241A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810085238.3

申请日：2008-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/085 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的目的是提供一种3维结构的半导体装置，其能够在既避免制造工序的复杂化又高精度地把握在多个半导体层中分别形成的半导体元件的位置关系的同时来进行制造。准备作为透明衬底的SiC衬底(2)，在该SiC衬底(2)中形成布线(30、32)、晶体管(10)之后，在其上使GaN层(6)外延生长，接着，在GaN层(6)中形成布线(18、32)。以与布线(18、32)电连接的方式形成晶体管(20)。