公开(公告)号：CN115298915A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202080098451.7

申请日：2020-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前田和弘 ,  佐久间仁 ,  多田仁史

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。

公开(公告)号：CN105374743A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510484072.2

申请日：2015-08-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前田和弘 ,  西泽弘一郎

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够防止寄生电容的增加。首先，在半导体衬底(1)的主面形成半导体器件(2)。然后，在半导体衬底(1)的主面上，形成与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的侧部进行包围的第1树脂膜(6)。然后，使与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的上方进行覆盖的第2树脂膜(7)与第1树脂膜(6)的上表面接合，在半导体器件(2)的栅极电极(3)的周围形成中空构造(8)。