公开(公告)号：CN101106328A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710091590.3

申请日：2007-03-28

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 竹下顺司 ,  寺田幸弘

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02J7/0065 ,  H02M2001/0093

Abstract: 本发明提供可仅用升压型开关调节器构成、并易于实现小型化及低成本化且能够具有电流控制功能的DC－DC转换器。本发明的DC－DC转换器具备：以串联方式连接在接受输入直流电压的电压输入端和输出端之间的电感元件以及整流元件；连接在所述电感元件与整流元件的连接节点和基准电位点之间的开关元件；以及生成对该开关元件进行接通、断开控制的信号的控制电路，其中，通过所述控制电路对所述开关元件进行接通、断开控制，控制流到所述电感元件中的电流，同时，通过将附加到接受所述输入直流电压的电压输入端的电压作为后段电路的基准电压向第2输出端输出，从而不必切换升压动作和降压动作便可将输出电压控制为从比所述输入直流电压低的电位至高的电位。

公开(公告)号：CN1494147A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备，包括一衬底、形成于衬底上一阱区，形成于阱区上一场效应晶体管、以及一扩散区。该扩散区穿过了阱区和衬底以将背栅电位提供给阱区，并且该扩散区与其外围一起形成了一PN结。场效应晶体管和PN结连接在终端之间以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。

公开(公告)号：CN1398000A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02101714.X

申请日：2002-01-14

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 寺田幸弘

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及具有保护单片IC免遭静电放电破坏的保护装置的单片IC封装，可以以简单的结构实现提高抗ESD量及抗ESD电压。在单片IC封装中具有单片IC11，封装单片IC11等的树脂封装13，设置在该树脂封装13中，同时通过布线18、19等同单片IC11电气连接的突起以及保护单片IC11免遭静电放电(ESD)破坏的保护装置，其结构是：通过用高阻抗材料形成突起而得到高阻抗突起14，使用该高阻抗突起14作为保护装置。

公开(公告)号：CN101512456A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780031833.2

申请日：2007-08-28

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 山崎和夫 ,  寺田幸弘 ,  村上幸司 ,  永井民次

IPC: G05F1/10 ,  G05F1/56 ,  H02M3/00

CPC classification number: G05F1/56

Abstract: 本发明的目的是提供一种电子系统，该电子系统即使有电源供给线的电阻或者插头的接触电阻也能够进行正确的电源供给，进而对于必要的电源电压不同的多个电子装置能够用一个电源装置应对。电子系统，具有：电子装置(50)；和被设置成可与该电子装置(50)连接/取下、在连接时通过电缆向所述电子装置进行电源供给的电源装置(10)。并且，在电子装置(50)中设置：进行关于电源的供给量的检测、输出第一检测信号的第一检测电路(51)；和在和电源装置连接时向电源装置(10)发送所述第一检测信号的控制信号端子T2，在电源装置(10)中设置：使输出可变的电源电路(11)；和根据第一检测信号进行电源电路(11)的输出控制的控制电路(12)。

公开(公告)号：CN101467329A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021994.3

申请日：2007-06-13

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 山崎和夫 ,  田中秀宪 ,  寺田幸弘 ,  永井民次

IPC: H02J7/04 ,  H02J7/10

CPC classification number: H02M3/1584 ,  H02J7/0072 ,  H02M3/1582 ,  H02M2001/0045

Abstract: 本发明提供即使控制充电电压或充电电流的晶体管等损坏、或者保护电路非正常地动作时，也不发生向二次电池的过充电的安全性高的充电电路。在通过所输入的电源电压进行二次电池(E2)的充电的二次电池充电电路(4)中，将所述电源电压设定为低于二次电池(E2)的满充电电压(例如4.2V)的电压(例如4.0V)，当二次电池(E2)的电压低于电源电压时，恒流电路动作，进行不伴随升压的恒流充电，当二次电池(E2)的电压高于电源电压、低于满充电电压时，升压电路动作，进行伴随升压的恒流充电。

公开(公告)号：CN101249759A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810009047.9

申请日：2008-01-30

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 大原智光 ,  寺田幸弘

IPC: B41J2/355

CPC classification number: B41J2/355

Abstract: 本发明的目的在于提供一种热头驱动电路以及使用它的打印机，其能够对于热头基板的位置使温度斜率平坦，减低印刷斑点的发生。一种热头驱动电路，用于驱动印刷一行的M个热头321～322N，其中，具有使对于供给M个热头的印刷数据的各个的延迟时间不同的延迟单元23，把延迟时间设定为：对于奇数号的热头随M的值增加而增大或者减小，对于偶数号的热头随M的值增加而减小或者增大。

公开(公告)号：CN101234561A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009048.3

申请日：2008-01-30

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 大原智光 ,  寺田幸弘

IPC: B41J2/355 ,  H03K17/687 ,  H03K19/20

CPC classification number: B41J2/35

Abstract: 本发明提供一种热头驱动电路，其目的是减低开关噪声、防止半导体集成电路的破坏。所述热头驱动电路，具有：由p沟道MOS晶体管QP1和n沟道MOS晶体管QN1构成、向栅极供给矩形波的驱动信号来进行反转的反相器型驱动电路；和向栅极供给所述反相器型驱动电路输出的被反转过的驱动信号、驱动在漏极上连接有热头13的功率MOS晶体管QN2，其中，具有：在p沟道MOS晶体管QP1的漏极和n沟道MOS晶体管QN1的漏极间连接的第一电阻R1；和在第一电阻和n沟道MOS晶体管QN1的漏极间的连接点与功率MOS晶体管QN2的栅极间连接的第二电阻R2。

公开(公告)号：CN1324704C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H02H9/02

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备包括一衬底；形成于衬底上；形成于阱区上场效应晶体管；一扩散区，包括相互连接形成PN结以将背栅电位提供给该阱区的N型扩散区和P型扩散区，该扩散区形成于该阱区和衬底上，以便横跨该阱区和衬底的边缘；第一终端，连接于该场效应晶体管的漏极和该N型扩散区；和第二终端，连接于该场效应晶体管的源极和该P型扩散区；其中场效应晶体管和PN结在该第一和第二终端之间连接以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。