公开(公告)号：CN1324704C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H02H9/02

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备包括一衬底；形成于衬底上；形成于阱区上场效应晶体管；一扩散区，包括相互连接形成PN结以将背栅电位提供给该阱区的N型扩散区和P型扩散区，该扩散区形成于该阱区和衬底上，以便横跨该阱区和衬底的边缘；第一终端，连接于该场效应晶体管的漏极和该N型扩散区；和第二终端，连接于该场效应晶体管的源极和该P型扩散区；其中场效应晶体管和PN结在该第一和第二终端之间连接以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。

公开(公告)号：CN1489208A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03156357.0

申请日：2003-09-04

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  铃木雅之

IPC: H01L23/52

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其特征为在探测片和激光修整部等处，在晶片检查时对保护膜有损坏之虞的部分的布线。本发明的目的在于抑制保护膜开口部附近布线的腐蚀以确保高可靠性。它是在探测片部(2)和激光修整部等处，在晶片检查的阶段有保护膜(钝化膜(3))受损之虞的部分，用多晶硅布线(4)做从保护膜开口部(3A)附近引出的布线。多晶硅布线(4)即使在水分进入的情况下也不会因被腐蚀而断线。由于多晶硅布线(4)与铝布线相比电阻值要高，在不损害线路特性的条件下扩散高浓度的磷以尽可能降低电阻值。

公开(公告)号：CN1494147A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备，包括一衬底、形成于衬底上一阱区，形成于阱区上一场效应晶体管、以及一扩散区。该扩散区穿过了阱区和衬底以将背栅电位提供给阱区，并且该扩散区与其外围一起形成了一PN结。场效应晶体管和PN结连接在终端之间以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。