公开(公告)号：CN1494147A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备，包括一衬底、形成于衬底上一阱区，形成于阱区上一场效应晶体管、以及一扩散区。该扩散区穿过了阱区和衬底以将背栅电位提供给阱区，并且该扩散区与其外围一起形成了一PN结。场效应晶体管和PN结连接在终端之间以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。

公开(公告)号：CN1324704C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03156853.X

申请日：2003-09-10

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 石川泰久 ,  渡边敦 ,  寺田幸弘 ,  池内亮 ,  大谷扩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H02H9/02

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种半导体设备包括一衬底；形成于衬底上；形成于阱区上场效应晶体管；一扩散区，包括相互连接形成PN结以将背栅电位提供给该阱区的N型扩散区和P型扩散区，该扩散区形成于该阱区和衬底上，以便横跨该阱区和衬底的边缘；第一终端，连接于该场效应晶体管的漏极和该N型扩散区；和第二终端，连接于该场效应晶体管的源极和该P型扩散区；其中场效应晶体管和PN结在该第一和第二终端之间连接以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。