公开(公告)号：CN101241935A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810004943.6

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 武田安弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/4983

Abstract: 一种半导体装置，具备栅极电极，其隔着第一杂质区域及电场缓和层上的栅极绝缘膜而形成，栅极电极，由按照与第一杂质区域对置的方式形成的第一导电型的第二杂质区域及可以形成耗尽层的第三杂质区域这两个区域构成。

公开(公告)号：CN1534797A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031622.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 武田安弘 ,  中野勇男 ,  金田和博 ,  小田真弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。