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公开(公告)号：CN1855553A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076165.2
申请日：2006-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/0547 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种可以提高输出特性的叠层型光电动势装置。该叠层型光电动势装置包括：第二发电单元，包括具有第一折射率的第二半导体层、由用作光电转换层的非晶半导体层构成第三半导体层；中间层，在第一发电单元和第二发电单元之间形成，具有第二折射率；促进反射层，在中间层和第二发电单元的第二半导体层之间形成，具有第三折射率，其与第一折射率的折射率差，大于第二折射率与第一折射率的折射率差。
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公开(公告)号：CN1828946A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610057778.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0248 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/042 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种叠层型光电动势装置，在支承基板上顺次形成有背面金属电极、在光电转换层中使用微晶硅的底部单元、在光电转换层中使用非晶硅的前部单元、和表面透明电极。对前部光电转换层中的杂质浓度和底部光电转换层中的杂质浓度中的至少一方进行控制，使得底部光电转换层中含有的杂质浓度高于前部光电转换层中含有的杂质浓度。杂质不包含p型掺杂或n型掺杂，是碳、氮、氧中的一种、两种或全部。
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公开(公告)号：CN1415121A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00814649.7
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，把集电器成分扩散到薄膜中。
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公开(公告)号：CN1382310A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN00814645.4
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 一种用于锂电池的电极,具有吸收/放出锂的活性材料薄膜,诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜,其特征在于,集电器的表面粗糙度Ra是0.01μm或更大。
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公开(公告)号：CN103597604A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027090.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100483746C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN03143450.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/075 , Y02E10/546 , Y02E10/548
Abstract: 本发明能获得一种可提高开路电压的光电变换装置。该光电变换装置在第一非单晶半导体层及第二非单晶半导体层中至少任意一方的半导体层与第三非单晶半导体层的界面部分上，第三非单晶半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径，在上述界面部分，所述一方的半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上平行的方向上具有长径。
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公开(公告)号：CN100372153C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410083106.9
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，把集电器成份扩散到薄膜中。
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公开(公告)号：CN1260841C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN00814645.4
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 一种用于锂电池的电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，集电器的表面粗糙度Ra是0.01μm或更大。
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公开(公告)号：CN1189958C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN00817741.4
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/0404 , H01M4/0421 , H01M4/0426 , Y10T29/49002
Abstract: 一种可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，其特征在于，该活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层这一温度下沉积。
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公开(公告)号：CN1497741A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03143450.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/075 , Y02E10/546 , Y02E10/548
Abstract: 本发明能获得一种可提高开路电压的光电变换装置。该光电变换装置在第一非单晶半导体层及第二非单晶半导体层中至少任意一方的半导体层与第三非单晶半导体层的界面部分上，第三非单晶半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径，在上述界面部分，所述一方的半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上平行的方向上具有长径。
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