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公开(公告)号：CN1428860A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159814.2
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0218 , H01L27/0623 , H02M3/073
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现用于该装置的MOS晶体管的高耐压化。其将N型外延半导体层层积于在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51A上，在外延硅层51B中间隔设置P型阱区域52A、52B。在P型阱区域52A、52B间设置P型分离层58、59。而且，设置在P型阱区域52A、52B底部相接的P+型埋入层55，在P+型埋入层之下设置N+型埋入层56，将电荷转送用晶体管分别设置在P型阱区域52A、52B中。
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公开(公告)号：CN1234202C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02131885.9
申请日：2002-09-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 名野隆夫
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 一种DC-DC转换器，可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器，例如第1级包括两个电容器(C11、C12)，并设置有可以将这些电容器(C11、C12)切换成串联或并联的开关(61、62、63)。在充电时使其中的一个开关(61)接通从而使电容器(C11、C12)串联连接，而在放电时使另外的开关(62、63)接通从而使电容器(C11、C12)并联连接。这样，可以在输出端子(40)上得到3.5Vdd的升压电压。
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公开(公告)号：CN1428864A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159821.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和N型外延硅层51B，在N型外延硅层51B中设置P型阱区域52C。设有与P型阱区域52C的底部相接的P+型埋入层55，在P型阱区域52C中设置MOS晶体管。MOS晶体管具有高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D、比该高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D更深地扩散的低浓度源极层N－S或/及漏极层N－D。
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公开(公告)号：CN1409473A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02131886.7
申请日：2002-09-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 名野隆夫
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/072
Abstract: 一种DC－DC转换器的控制方法，可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器，例如第1级包括两个电容器C11、C12，并设置有可以将这些电容器C11、C12切换成串联或并联的开关61、62、63。在充电时使开关61接通从而使电容器C11、C12串联连接，而在放电时使开关62、63接通从而使电容器C11、C12并联连接。这样，可以在输出端子40上得到3.5Vdd的升压电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1409472A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02131885.9
申请日：2002-09-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 名野隆夫
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 一种DC－DC转换器，可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器，例如第1级包括两个电容器C11、C12，并设置有可以将这些电容器C11、C12切换成串联或并联的开关61、62、63。在充电时使开关61接通从而使电容器C11、C12串联连接，而在放电时使开关62、63接通从而使电容器C11、C12并联连接。这样，可以在输出端子40上得到3.5Vdd的升压电压。
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公开(公告)号：CN1812267A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006654.0
申请日：2006-01-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H02M1/08 , H01L27/0222 , H03K17/163
Abstract: 一种控制电路，是将变换器(INV2)的输出电压施加在用于控制输出晶体管的变换器(INV4)的输入端子，将变换器(INV4)的输出电压施加在输出段的变换器(INV6)的N沟道型MOS晶体管(18)的栅极。变换器(INV4)将P沟道型MOS晶体管(25)、第1电阻(R1)、第2电阻(R2)、N沟道型MOS晶体管(26)连接在正的高电源电位(VH)和负的高电源电位(VL)之间而构成，并将第1电阻(R1)和N沟道型MOS晶体管(26)之间的连接点作为所述变换器(INV4)的输出端子。从而，在转换驱动电路的输出段的变换器时，防止正升压充电泵电路(12)输出的正的高电源电位(VH)异常地下降。
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公开(公告)号：CN1260818C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02159814.2
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L27/0218 , H01L27/0623 , H02M3/073
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现用于该装置的MOS晶体管的高耐压化。其将N型外延半导体层层积于在P型单晶硅衬底(50)上成长的N型外延硅层(51A)上，在外延硅层(51B)中间隔设置P型阱区域(52A、52B)。在P型阱区域(52A、52B)间设置P型分离层(58、59)。而且，设置在P型阱区域(52A、52B)底部相接的P+型埋入层(55)，在P+型埋入层之下设置N+型埋入层(56)，将电荷转送用晶体管分别设置在P型阱区域(52A、52B)中。
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公开(公告)号：CN1232021C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02131886.7
申请日：2002-09-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 名野隆夫
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/072
Abstract: 一种DC-DC转换器的控制方法，可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器，例如第1级包括两个电容器(C11、C12)，并设置有可以将这些电容器(C11、C12)换成串联或并联的开关(61、62、63)。在充电时使其中的一个开关(61)接通从而使电容器(C11、C12)串联连接，而在放电时使另外的开关(62、63)接通从而使电容器(C11、C12)并联连接。这样，可以在输出端子(40)上得到3.5Vdd的升压电压。
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公开(公告)号：CN1543073A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410034347.4
申请日：2004-04-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075 , H02M2003/076
Abstract: 一种电荷泵电路，可降低电荷泵电路开始工作时产生的突入电流，可防止对其他电路的不良影响。将电荷传送用MOS晶体管(M1)～(M4)串联连接，将它们的各连接点与耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的一端连接，在耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的另一端分别施加时钟驱动器(70)、(80)、(90)的输出。例如，时钟驱动器(70)具有第1时钟驱动器(70A)和具有比第1时钟驱动器(70A)驱动能力强的第2时钟驱动器(70B)，首先使第1时钟驱动器(70A)工作，经过规定时间后，使第1时钟驱动器(70A)停止，同时进行切换使第2时钟驱动器(70B)工作。
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