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公开(公告)号：CN1614779A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487656A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02142590.6
申请日：2002-09-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02M3/135
Abstract: 本发明提供一种高效率且大输出电流的供给泵电路。该供给泵设置有：根据时钟脉冲来控制电荷转送用MOS晶体管M1至M4的导通/断开的电平移位电路S1至S4；以及从供给泵电路的中途分支且输出正的升压电压的分支供给泵电路BC，通过使用分支供给泵电路的各级的输出V4、V5以作为电平移位电路S3、S4的高电位侧的电源，而使供给泵电路的电荷转送用MOS晶体管M1至M4在导通时其栅极·源极间电压成为大致固定值。
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公开(公告)号：CN100517689C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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公开(公告)号：CN100435240C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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公开(公告)号：CN1581354A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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