公开(公告)号：CN111378084B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201911356022.0

申请日：2019-12-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴昭姸 ,  金永珉 ,  兪龙植

IPC: C08G12/26 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明公开一种聚合物、一种包含聚合物的硬掩模组合物以及一种使用硬掩模组合物来形成图案的方法，聚合物包含通过反应混合物的反应获得的结构单元，反应混合物包含：经取代或未经取代的吲哚或其衍生物；在末端处具有经取代或未经取代的C3到C20支链烷基的第一芳香族醛化合物；以及与第一芳香族醛化合物不同的第二芳香族醛化合物。

公开(公告)号：CN115202153A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210290756.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金瑆焕 ,  朴裕信 ,  梁善暎 ,  兪龙植

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00

Abstract: 提供一种包含聚合物的硬掩模组成物、硬掩模层以及形成图案的方法，聚合物包含由化学式1表示的结构单元和溶剂。在化学式1中，A到C如说明书中所描述。[化学式1]。

公开(公告)号：CN107922819A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。

公开(公告)号：CN107636110A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。