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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630273A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810213312.9
申请日：2018-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004
Abstract: 本发明提供了一种存储器件的操作方法。使用统计模型来确定存储单元的可变电阻器的电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn。基于电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn来确定可变电阻器的平均电阻Rdyn_avg和β值。然后，使用平均电阻Rdyn_avg和β值来确定连接在存储单元与用于产生电源电压VPGM的电源发生器之间的插入电阻器的电阻Ra。
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公开(公告)号：CN108281167A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C29/52 , G11C2013/0076 , G11C2029/0411 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , G11C13/0021
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
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公开(公告)号：CN107403645A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710266270.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/6566 , G06F11/1012 , H03M13/152 , G11C29/42 , G11C29/44
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的读取方法。所述方法包括将从非易失性存储器件的所选择的存储器单元感测到的数据存储到页缓冲器中，通过对感测到的数据执行错误检测以检测错误，如果检测到错误则纠正检测到的错误，使用经纠正的数据重写页缓冲器，并在完成错误解码操作之后通过使用种子来对存储在页缓冲器中的数据进行解随机化。
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公开(公告)号：CN107274929A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710212175.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0638 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 一种用于执行随机操作的非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个第一段，具有写入数据；多个第二段，具有定义来自所述多个第一段的编程的段的编程信息。随机化发生器被配置为对写入数据进行随机化。纠错电路被配置为对写入数据执行纠错操作。控制逻辑被配置为确定来自从存储器控制器接收的地址的编程信息，并在编程操作期间基于编程信息的确定来确定是否运行随机化发生器和纠错电路。页缓冲器被配置为在随机化和纠错操作期间存储写入数据和编程信息。
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公开(公告)号：CN107203435A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710156724.9
申请日：2017-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 鲜于桢
CPC classification number: G06F11/1072 , G06F11/1044 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C11/161 , G11C13/0002 , G11C13/0021
Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法包括：通过感测存储在存储单元阵列的源页中的数据，将感测数据存储在页缓冲器电路中；从所述页缓冲器电路输出所述感测数据；对从页缓冲器电路输出的感测数据执行纠错码(ECC)解码；将经解码的数据存储在所述页缓冲器电路中；以及通过使用与所述源页相对应的种子值对从所述页缓冲器电路输出的经解码数据执行去随机化，将去随机化的数据提供给外部设备作为读取数据。
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