-
公开(公告)号：CN106653851A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610948671.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0657 , H01L29/41791 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7853 , H01L29/7854
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN110416292B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201910279488.9
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 闵宣基
IPC: H10D64/27 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种包括栅极分离区的半导体器件。所述半导体器件包括：有源区之间的隔离区；所述隔离区上的层间绝缘层；与所述有源区重叠的栅极线结构，所述栅极线结构位于所述隔离区上并具有彼此相对的端部；以及所述隔离区上的栅极分离区，所述栅极分离区位于所述栅极线结构的彼此相对的端部之间，并且位于所述层间绝缘层之间。所述栅极分离区包括间隙填充层和缓冲结构，缓冲结构包括缓冲衬层，所述缓冲衬层位于所述间隙填充层与所述隔离区之间，位于所述栅极线结构的彼此相对的端部与所述间隙填充层的侧表面之间，并且位于所述层间绝缘层与所述间隙填充层的侧表面之间。
-
公开(公告)号：CN109390407B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810812764.9
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。
-
公开(公告)号：CN115775834A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211025346.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基底上在第一方向上延伸，并且在第二方向上与第一有源图案间隔开；场绝缘层，在基底上位于第一有源图案与第二有源图案之间；第一栅电极，在第一有源图案上；第二栅电极，在第二有源图案上；以及栅极隔离结构，在场绝缘层上将第一栅电极与第二栅电极彼此分离，其中，栅极隔离结构在第二方向上的宽度从上隔离图案在向下的方向上变化。
-
公开(公告)号：CN114765155A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210029959.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 闵宣基
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：栅极结构，在衬底上包括栅电极；源极/漏极图案，在衬底上设置在栅电极的侧表面上；第一层间绝缘层，在栅极结构上；第一通路插塞，设置在第一层间绝缘层中并连接到源极/漏极图案；蚀刻停止结构层，在第一层间绝缘层上包括依次堆叠的第一至第三蚀刻停止层，使得第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层和第三蚀刻停止层之间；第二层间绝缘层，在蚀刻停止结构层上接触蚀刻停止结构层，使得蚀刻停止结构层在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间；以及布线线路，设置在第二层间绝缘层中并接触第一通路插塞。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106469749B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201610669304.6
申请日：2016-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。
-
公开(公告)号：CN107039432A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610916290.3
申请日：2016-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/28114 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/42376 , H01L29/7854 , H01L27/0922
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN108336025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201810043583.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
-
公开(公告)号：CN109390408B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201810909416.3
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 闵宣基
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其包括：第一绝缘夹层，位于衬底上；第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；栅极结构，在所述衬底上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述栅极结构的下部部分具有第一宽度，且所述栅极结构的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大且从底部朝顶部逐渐增大；以及间隔件结构，位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隔件结构的上部部分的宽度小于所述间隔件结构的下部部分的宽度。本公开的半导体装置具有良好的特性。
-
公开(公告)号：CN115440729A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210470214.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件可以包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案位于衬底上；第一外延图案，所述第一外延图案位于所述第一鳍型图案上；第二外延图案，所述第二外延图案位于所述第二鳍型图案上；以及下场绝缘膜，所述下场绝缘膜位于所述衬底上并且在所述第一鳍型图案的侧壁和所述第二鳍型图案的侧壁上延伸，其中，所述下场绝缘膜包括在第三方向上突出的突起。所述下场绝缘膜的所述突起可以位于所述第一鳍型图案与所述第二鳍型图案之间，并且所述下场绝缘膜的所述突起的顶表面的垂直高度随着距所述第一鳍型图案的所述侧壁的距离增加而先增加后减小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.03 seconds)
