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公开(公告)号：CN101192651A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710163090.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法。根据该方法，有机薄膜晶体管的半导体层和源/漏电极之间界面的稳定性可得到保证。因此，通过该方法制成的有机薄膜晶体管可具有改进的性能特性，如，最小化的或下降的接触电阻和增加的电荷载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN102786825A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210157507.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D4/06 , C08F283/04 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: C09D179/08 , C08L79/08 , H01L51/0036 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/107 , Y02E10/549
Abstract: 提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN101799628A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN102220129B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110086499.9
申请日：2011-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/64 , C09K11/80 , H01L33/50 , G02F1/13357 , F21S2/00 , F21V13/00 , F21Y101/02
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供了复合结晶磷光体、发光器件、光源装置、显示和照明装置。一种复合结晶磷光体为至少包含M元素、Al元素、硅、氧和氮的无机组合物。无机组合物包括具有至少两种晶相的颗粒，所述至少两种晶相包括与M2SiO4-yNx晶体相同的第一晶相和作为β-SiAlON晶体的第二晶相。这里，M为从由镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)组成的组中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101799628B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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