公开(公告)号：CN1224243A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98118861.3

申请日：1998-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  金基俊 ,  尹钟密

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  Y10S257/903

Abstract: 一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件,所述单元包括:由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区;由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区;设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区;设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区;第一和第二栅极层,它们通常彼此平行布置;以及第一和第二互连层。

公开(公告)号：CN100479167C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200710002311.1

申请日：2003-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  郑舜文 ,  朴宰均

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。

公开(公告)号：CN1992284A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200710002311.1

申请日：2003-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  郑舜文 ,  朴宰均

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。

公开(公告)号：CN1570767A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410071436.6

申请日：2004-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  崔东旭

IPC: G03F7/16

CPC classification number: G03C1/74 ,  B05C5/0208 ,  B05C5/0254 ,  B05C5/027 ,  B05C11/1015

Abstract: 一种涂覆设备，包括支撑具有多个单元衬底的母衬底的支撑部件，将感光材料涂覆在单元衬底上的涂覆装置，检测外部杂质的检测器，将外部杂质从单元衬底上移除的移除装置，以及控制涂覆装置、检测器和移除装置的控制器。涂覆装置包括容纳感光材料的主体，以及用于向主体输入和从主体输出感光材料的入口部和出口部。出口部的宽度与单元衬底的宽度相等。检测器设置在涂覆装置的前方以便在涂覆工艺之前检测外部杂质。移除装置移除外部杂质。涂覆装置将感光材料只排放到单元衬底上。当发现外部杂质的时候中断排放感光材料。涂覆设备需要更少的感光材料，能够获得更高的效率。

公开(公告)号：CN1433078A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03100919.0

申请日：2003-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成奉 ,  郑舜文 ,  朴宰均

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。