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公开(公告)号:CN109585634A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201810834091.7
申请日:2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/38 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L23/544 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括:发光结构,其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层,并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中,第二接触电极在第二导电类型的半导体层上,并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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