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公开(公告)号：CN105847784B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610028856.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/225 , H04N5/33 , H04N9/04 , H04N13/239 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , G01S17/02 , G01S17/08 , G01S17/89 , G01S7/48
CPC classification number: H04N13/239 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/08 , G01S17/89 , H01L27/307 , H04N5/2256 , H04N5/2258 , H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , H04N13/296
Abstract: 种用于三维图像获取装置的光学成像系统包括:物镜,聚焦光;第图像传感器,感测由物镜聚焦的光中可见光波段的光;以及第二图像传感器,感测透射通过第图像传感器的光中红外线波段的光。三维图像获取装置包括用于三维图像获取装置的光学成像系统。
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公开(公告)号：CN104009158A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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公开(公告)号：CN1271223A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：CN00106765.6
申请日：2000-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金奎植
Abstract: 一种用来在各自连接到数据通信网络的多个网络管理系统之间实现共享数据的装置包括各自具有代理者和管理器的多个管理单元,代理者通过Qx接口连接到多个网络管理系统中相关的一个并适合于利用CMIP协议来把数据和信号发送给多个管理单元中选定的一个或从其中接收数据和信号,并且把多个网络管理系统中相关的一个作为ASN.1目标来管理,而管理器通过Q3接口连接到代理者,它适合于随着接收到操作者的命令而根据控制操作来控制代理者。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN103000810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201210103761.0
申请日：2012-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , H01L51/426 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103524531B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310283609.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D495/04 , H01B1/12 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4‑7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN105847784A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610028856.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/02
CPC classification number: H04N13/239 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/08 , G01S17/89 , H01L27/307 , H04N5/2256 , H04N5/2258 , H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , H04N13/296 , H04N13/204
Abstract: 一种用于三维图像获取装置的光学成像系统包括：物镜，聚焦光；第一图像传感器，感测由物镜聚焦的光中可见光波段的光；以及第二图像传感器，感测透射通过第一图像传感器的光中红外线波段的光。三维图像获取装置包括用于三维图像获取装置的光学成像系统。
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公开(公告)号：CN103682150A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310408217.1
申请日：2013-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/442 , H01L51/0021 , H01L51/5203 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。根据实例实施方式，有机光电器件以及图像传感器可包括所述透射电极。
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公开(公告)号：CN103524531A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310283609.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D495/04 , H01B1/12 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , C07D495/22 , C07D495/14 , C07F7/0816
Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4-7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]
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