公开(公告)号：CN103713802A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310444772.X

申请日：2013-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光镐 ,  朴泰建

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/0486

CPC classification number: G06F3/04842 ,  G06F3/04817 ,  G06F3/04883

Abstract: 一种用于运行应用的方法和电子装置。用于在电子装置中运行应用的方法包括：在文件夹的图标中显示在文件夹中包含的一个或多个应用的一个应用图标；检测针对文件夹图标的手势；根据针对文件夹图标的手势来运行或改变在文件夹图标中显示的应用。

公开(公告)号：CN109799865B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201811358057.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G05F3/24

Abstract: 参考电压产生电路包括：运算放大器，包括连接到第一节点的第一输入端子和连接到第二节点的第二输入端子；第一晶体管，连接在接地端子和第一节点之间，其中第一电流在第一晶体管中流动；第二晶体管，连接到接地端子；第一可变电阻器，连接在第二晶体管和第二节点之间，其中第一可变电阻器具有用于基于由形成第一晶体管的工艺的变化引起的、第一晶体管的电流特性的改变来调整第一电流的第一电阻值。参考电压产生电路基于第一节点的电压和第一可变电阻器两端的电压提供参考电压。

公开(公告)号：CN110068401B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910011131.2

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G01K7/24 ,  G01K13/00 ,  G01K1/02

Abstract: 温度感测设备包括：温度‑电压转换器，输出具有不随温度变化的零温度系数的第一电压以及具有与温度成反比变化的负温度系数的第二电压；多路复用器，根据转变信号交替地输出第一电压和第二电压；和温度传感器，交替地接收第一电压和第二电压，并根据第一电压和第二电压的比率来感测温度。

公开(公告)号：CN110068401A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910011131.2

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G01K13/00 ,  G01K1/02

Abstract: 温度感测设备包括：温度-电压转换器，输出具有不随温度变化的零温度系数的第一电压以及具有与温度成反比变化的负温度系数的第二电压；多路复用器，根据转变信号交替地输出第一电压和第二电压；和温度传感器，交替地接收第一电压和第二电压，并根据第一电压和第二电压的比率来感测温度。

公开(公告)号：CN109799865A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811358057.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G05F3/24

Abstract: 参考电压产生电路包括：运算放大器，包括连接到第一节点的第一输入端子和连接到第二节点的第二输入端子；第一晶体管，连接在接地端子和第一节点之间，其中第一电流在第一晶体管中流动；第二晶体管，连接到接地端子；第一可变电阻器，连接在第二晶体管和第二节点之间，其中第一可变电阻器具有用于基于由形成第一晶体管的工艺的变化引起的、第一晶体管的电流特性的改变来调整第一电流的第一电阻值。参考电压产生电路基于第一节点的电压和第一可变电阻器两端的电压提供参考电压。

公开(公告)号：CN105428515A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510440995.8

申请日：2015-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光镐 ,  梁峻赫 ,  高亨宗 ,  金世基 ,  朴浩辰 ,  安世罗

IPC: H01L35/00 ,  H01L35/34 ,  H01L25/00

Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。

公开(公告)号：CN110243485B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201811283439.4

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱盛 ,  金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G01K7/01

Abstract: 提供一种CMOS温度传感器。所述CMOS温度传感器，包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压输出与温度无关的恒定的带隙基准电压，并使用第二电压产生与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并输出使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并输出与温度成正比的温度信息电压。

公开(公告)号：CN105844153B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201610066555.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光镐 ,  金赏镐

IPC: G06F21/55

Abstract: 提供了使用锁存器的激光检测器和包括激光检测器的半导体装置。激光检测器包括：锁存器，配置为输出输出信号和反相输出信号；以及初始值设定电路，配置为设置输出信号和反相输出信号的至少一者的初始值。锁存器包括控制为通过初始值而首先导通的第一晶体管以及控制为通过初始值而首先截止的第二晶体管。第二晶体管具有包括横向面积大于第一晶体管的横向面积的有源区。

公开(公告)号：CN103871443A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310669934.X

申请日：2013-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光镐 ,  郑桭赫 ,  高亨宗 ,  卢镐星 ,  朴浩辰 ,  李善圭

IPC: G11C5/14 ,  H01L29/78

CPC classification number: G05F3/02 ,  G05F3/205

Abstract: 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。

公开(公告)号：CN101217276A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710305201.2

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑振赫 ,  金光镐

IPC: H03L7/081 ,  H03K5/13

CPC classification number: H03L7/0814 ,  H03L7/093

Abstract: 一种用于产生多相位时钟信号的方法和装置。所述多相位产生方法包括：由外部时钟信号产生具有预定相位延迟间隔的L个参考时钟信号组，其中每个参考时钟信号组包括M个子参考时钟信号；计算每个参考时钟信号组的子参考时钟信号的相位的平均值，并由所述L×M个子参考时钟信号产生L个主参考时钟信号；以及依次延迟所述L个主参考时钟信号，并产生具有不同相位的N个多相位时钟信号。因为不管接收的时钟信号的频率如何而产生彼此之间具有相等相位延迟间隔的多个时钟信号，所以使用所述多相位产生装置提高了延迟锁定环DLL电路的输出。