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公开(公告)号：CN108427028A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810105703.9
申请日：2018-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R19/00 , G01R19/165
CPC classification number: G01R19/14 , G05F1/461 , H02J7/0052 , H02J7/0068 , H02J7/025 , H02J50/10 , H02J50/80 , H02J2007/0096 , G01R19/0084 , G01R19/165
Abstract: 提供了一种用于监控反向电压的半导体器件。半导体器件包括具有输入节点和输出节点的知识产权；连接在输出节点和电位之间的无源组件；连接到输入节点和输出节点并由驱动电源供电的监控电路，监控电路监控在输入节点处的输入电平与在输出节点处的输出电平之间的差，以检测知识产权上的反向电压。驱动电源由输出节点提供。
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公开(公告)号：CN115576891A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210705846.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据实施例的片上系统包括：内核，该内核包括头部开关电路和逻辑电路，该头部开关电路被配置为将施加到第一电源轨的电源供电电压作为供电电压传输到第二电源轨，该逻辑电路被配置为基于来自第二电源轨的供电电压进行操作；以及低压差(LDO)调节器，被配置为基于供电电压的改变来调节输出到第二电源轨的第一电流的幅度，其中，LDO调节器还被配置为基于供电电压的改变量来控制包括在头部开关电路中的多个第一头部开关的接通/断开。
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公开(公告)号：CN105428515A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510440995.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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公开(公告)号：CN118939598A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410557119.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/78
Abstract: 提供了片上系统及其运行方法。所述片上系统包括：处理器，所述处理器连接到被配置为调节到所述处理器的供应电压的多个开关；稳压器，所述稳压器被配置为施加用于控制所述多个开关中的至少一个开关的控制信号；以及电压下垂检测器，所述电压下垂检测器连接到所述稳压器和所述处理器，并且被配置为当从所述处理器检测到电压下垂时向所述稳压器发送电压下垂检测信号。所述稳压器可以在接收到所述电压下垂检测信号时基于所述控制信号来使所述多个开关当中的预定数目的开关接通。
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公开(公告)号：CN105528048A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510676901.7
申请日：2015-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/26
Abstract: 提供了一种包括在片上系统(SoC)中的电力路径控制器。电力路径控制器耦接到第一电源和第二电源。电力路径控制器包括位于所述第一电源和包含在SoC中的存储磁芯之间的第一开关，位于第二电源和存储磁芯之间的第二开关，被配置为将从第一供电电压提供的第一电源与从第二电源提供的第二供电电压进行比较的比较器，以及被配置为根据比较器的比较结果选择性地激活所述第一开关或第二开关的开关控制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117608347A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311062571.3
申请日：2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种低压差(LDO)调节器包括：比较电路，被配置为通过将目标电压与输出电压进行比较来生成比较结果信号，其中，输出电压对应于连接到集成电路的输出端子的输出电压；电压增大/减小检测电路，被配置为通过检测输出电压增大还是减小来生成检测结果信号；控制电路，被配置为基于根据比较结果信号和检测结果信号选择的控制模式来生成具有改变的值的电流控制代码；以及电流驱动电路，被配置为接收电流控制代码并生成对应于电流控制代码的输出电流。
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公开(公告)号：CN114911747A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210030957.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种片上系统。所述片上系统包括：核，被配置为维持时钟门控状态；多个头开关电路，被配置为响应于多个控制信号而将从外部电源电压降低的电源电压递送到所述核；以及电压调节器，被配置为：监测电源电压；根据电源电压与预设的目标电压之间的差所对应的差电平来改变所述多个控制信号的逻辑电平；以及将逻辑电平已被改变的所述多个控制信号输出到所述多个头开关电路。
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公开(公告)号：CN108427028B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201810105703.9
申请日：2018-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R19/00 , G01R19/165
Abstract: 提供了一种用于监控反向电压的半导体器件。半导体器件包括具有输入节点和输出节点的知识产权；连接在输出节点和电位之间的无源组件；连接到输入节点和输出节点并由驱动电源供电的监控电路，监控电路监控在输入节点处的输入电平与在输出节点处的输出电平之间的差，以检测知识产权上的反向电压。驱动电源由输出节点提供。
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公开(公告)号：CN105528048B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510676901.7
申请日：2015-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/26
Abstract: 提供了一种包括在片上系统(SoC)中的电力路径控制器。电力路径控制器耦接到第一电源和第二电源。电力路径控制器包括位于所述第一电源和包含在SoC中的存储磁芯之间的第一开关，位于第二电源和存储磁芯之间的第二开关，被配置为将从第一供电电压提供的第一电源与从第二电源提供的第二供电电压进行比较的比较器，以及被配置为根据比较器的比较结果选择性地激活所述第一开关或第二开关的开关控制器。
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公开(公告)号：CN105428515B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510440995.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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