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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106451597B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201610641218.4
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种充电控制电路，包括：充电电流控制电路，被配置为接收第一节点处的输入电压，向第二节点输出感测电流以及导通功率晶体管；比较器，被配置为将第二节点的电压电平与第三节点的电压电平进行比较，其中，第三节点接收来自功率晶体管的充电电流；电流反射镜，被配置为生成与感测电流相对应的镜像电流；以及放大器，被配置为接收基于镜像电流的第一反馈电压，并且对第一反馈电压与参考电压之间的差异进行放大以生成开关控制信号，其中，响应于开关控制信号和多个控制信号，充电电流控制电路被配置为降低感测电流并且导通功率晶体管。
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公开(公告)号：CN106451597A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610641218.4
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02J7/0052 , H02J7/0054 , H02J7/025 , H02J50/12 , H02J50/40 , H02J2007/0059 , H04B5/0037 , H02J7/06
Abstract: 一种充电控制电路，包括：充电电流控制电路，被配置为接收第一节点处的输入电压，向第二节点输出感测电流以及导通功率晶体管；比较器，被配置为将第二节点的电压电平与第三节点的电压电平进行比较，其中，第三节点接收来自功率晶体管的充电电流；电流反射镜，被配置为生成与感测电流相对应的镜像电流；以及放大器，被配置为接收基于镜像电流的第一反馈电压，并且对第一反馈电压与参考电压之间的差异进行放大以生成开关控制信号，其中，响应于开关控制信号和多个控制信号，充电电流控制电路被配置为降低感测电流并且导通功率晶体管。
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公开(公告)号：CN103871443A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310669934.X
申请日：2013-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。
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公开(公告)号：CN103871443B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310669934.X
申请日：2013-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。
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公开(公告)号：CN111030455A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910958207.2
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02M3/158
Abstract: 多相开关调节器和使用所述多相开关调节器的开关调节方法采用交错电路。所述多相开关调节器包括：第一调节电路，被配置为接收输入电压并响应于第一设定信号通过变换所述输入电压来生成具有第一相的第一子输出电压；第二调节电路，被配置为通过接收所述输入电压并响应于第二设定信号变换所述输入电压来生成具有第二相的第二子输出电压；以及交错电路，被配置为通过将参照电压和基于所述第一子输出电压和所述第二子输出电压生成的输出电压进行比较，重复并顺序地生成所述第一设定信号和所述第二设定信号。
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