-
公开(公告)号：CN103426461B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
-
公开(公告)号：CN107545920A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710485044.1
申请日：2017-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4096
CPC classification number: G11C16/10 , G11C5/04 , G11C7/06 , G11C7/1018 , G11C7/1057 , G11C7/1066 , G11C11/4093 , H01L2224/48145
Abstract: 公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。
-
公开(公告)号：CN107527642A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710456913.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C8/12 , G11C11/4087 , G11C11/4093 , G11C11/4097 , G11C2207/107 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/14
Abstract: 本发明涉及一种存储器器件和存储器模块。所述存储器器件可包括：连接至字线和位线的存储器单元；第一位线感测放大器，其通过位线连接至存储器单元，并且构造为放大位线的信号；以及第二位线感测放大器，其邻近于第一位线感测放大器布置，并且不连接至位线。可通过从处理器接收的地址选择第二位线感测放大器，并且可根据从处理器接收的命令将数据存储在第二位线感测放大器中或者从第二位线感测放大器输出数据。在本文所述的一些方面，存储器器件可包括高速操作的缓冲存储器，从而提高了存储器模块的性能。
-
公开(公告)号：CN107256716A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710454316.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.08 seconds)
