公开(公告)号：CN1996610B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610166914.0

申请日：2006-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  崔泰荣 ,  黄泰亨 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。

公开(公告)号：CN101123265A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140400.2

申请日：2007-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重汉 ,  宋根圭 ,  崔泰荣 ,  金泳敏 ,  吴俊鹤 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN101097936A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710129206.4

申请日：2007-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  金保成 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；配置在所述基板上的多条数据线；层间绝缘层，配置在所述数据线上并且包括使所述数据线露出的接触孔；多个源电极，所述源电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且通过接触孔连接到数据线；多个像素电极，所述像素电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且包括面向所述源电极的漏电极；有机半导体，配置在所述源电极和所述漏电极上并且部分重叠所述源电极和所述漏电极；栅绝缘层，配置在所述有机半导体上；和栅线，配置在栅绝缘层上并且包括重叠所述有机半导体的栅电极。本发明还涉及薄膜晶体管阵列面板的制造方法。

公开(公告)号：CN101086996A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610148642.1

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵承奂 ,  金泳敏 ,  宋根圭

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。