公开(公告)号：CN101459146A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810184643.0

申请日：2008-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩 ,  赵慧珍

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片，其中，该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度，并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。

公开(公告)号：CN100477262C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN100435274C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510113532.7

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  金东贤 ,  权五益 ,  赵慧珍

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  B05B1/02 ,  B05B3/00 ,  B05D1/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  H01L21/67017

Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。

公开(公告)号：CN1397991A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02126876.2

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  金东贤 ,  权五益 ,  赵慧珍

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  B05B1/00 ,  B05B3/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  H01L21/67017

Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。