公开(公告)号：CN101017835A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710092304.5

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基 ,  金奉柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。

公开(公告)号：CN1893092A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100747.X

申请日：2006-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: 公开了一种提高了显示质量的薄膜晶体管衬底，包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉并提供与栅极线和数据线毗邻的像素区域；数据图样，形成在与数据线大致相同的平面上并由与数据线大致相同的材料形成；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接、像素电极，与薄膜晶体管连接；有机保护层，在像素电极下形成并保护薄膜晶体管；和无机保护层，形成在数据图样和有机保护层之间，无机保护层以与数据图样有类似的图样形成在数据图样上。进一步提供了上述薄膜晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN1821839A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610007654.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震九 ,  柳春基 ,  金喆镐 ,  朴庆玟 ,  金一坤

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13456 ,  H05K1/117 ,  H05K3/323 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/09436 ,  H05K2201/09472

Abstract: 在显示装置及显示装置的制造方法中，显示装置包括：具有信号线和绝缘层的显示面板；以及电连接至信号线并且粘附到显示面板的信号发生器。信号线包括分别形成在其端部的焊盘。有机绝缘层被部分地去除，从而在信号线的焊盘之间形成过孔，以减小其中形成有焊盘的区域和其中没有形成焊盘的区域之间的梯级差。因此，显示装置可以增强信号发生器和显示面板之间的结合力。

公开(公告)号：CN1744322A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510097892.2

申请日：2005-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震九 ,  朴庆珉 ,  柳春基

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。

公开(公告)号：CN101110443B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710136648.1

申请日：2007-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奉柱 ,  崔珉赫 ,  柳春基 ,  金英一

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L23/544 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286

Abstract: 一种显示基板包括像素、信号传输线、第一绝缘层和测试信号输入部分。像素在绝缘基板上。信号传输线在绝缘基板上，以便传输图像信号。第一绝缘层在信号传输线上。第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过该接触孔部分地外露。测试信号输入部分在第一绝缘层上，并包括延伸部分和测试信号焊盘。延伸部分通过接触孔与信号传输线电连接，并朝着绝缘基板的侧边延伸。测试信号焊盘与延伸部分电连接。因此，可以减少缺陷的数量。

公开(公告)号：CN101017835B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710092304.5

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基 ,  金奉柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。

公开(公告)号：CN101257028A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710305124.0

申请日：2007-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英一 ,  柳春基 ,  金奉柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管基板及制造TFT基板的方法，其能够简化制造工艺并保护栅驱动器不被侵蚀。薄膜晶体管基板包括：包括显示区域和非显示区域的绝缘基板，包括在显示区域中绝缘基板上形成的第一栅电极的栅金属图形，在栅金属图形上形成的栅绝缘层，在栅栅绝缘层上形成的与第一栅电极交叠的第一半导体图形，包括连接到第一半导体图形两端的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，连接到第一漏电极并形成在栅绝缘层上的透明导电图形，和形成在第一半导体图形和数据金属图形上的保护层。

公开(公告)号：CN101136413A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710137191.6

申请日：2007-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴鲜 ,  柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板和制造该薄膜晶体管阵列面板的方法。该薄膜晶体管阵列面板包括形成于多条栅线的多个端部上的钝化层。钝化层的一部分具有形成于柔性印刷电路基板和薄膜晶体管基板的连接部分之间的多孔结构，使得当柔性印刷电路基板和薄膜晶体管阵列面板相互连接时，具有多孔结构并形成于其间连接部分的钝化层将柔性印刷电路基板与薄膜晶体管阵列面板连接，从而最小化了连接部分的金属的暴露面积以改善其抗腐蚀性能。

公开(公告)号：CN1913163A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110142.9

申请日：2006-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴庆珉 ,  柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1237 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78621

Abstract: 薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区的第一半导体层，与第一导电型低浓度掺杂质区相邻的第一导电型源/漏极区，形成在第一半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂质区重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第一栅极。第二导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第二导电型源/漏极区的第二半导体层，形成在第二半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第二栅极。

公开(公告)号：CN1893116A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610090326.3

申请日：2006-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基 ,  朴庆珉 ,  朴京淳

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此，在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。