公开(公告)号：CN103797591A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201180073488.5

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  李进馥 ,  张泰盛 ,  禹锺均

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN103765614A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201180073034.8

申请日：2011-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  黄硕珉 ,  李守烈 ,  蔡昇完 ,  韩在镐 ,  李进馥

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。

公开(公告)号：CN103650178A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072220.X

申请日：2011-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  金制远 ,  李进馥 ,  黄硕珉 ,  河海秀 ,  李守烈

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。