公开(公告)号：CN111116621A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911053390.8

申请日：2019-10-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尾花良哲 ,  朴惠允 ,  权穗珍 ,  李时镛 ,  韩焌元 ,  森田博 ,  滨田理恵子 ,  饭野功治

IPC: C07F5/02 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 一种有机化合物、有机光电装置、图像传感器和电子装置，所述有机化合物由化学式1表示：[化学式1]其中，在化学式1中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为氢原子、取代或未取代的C1-C4烷基、取代或未取代的C1-C4烷氧基或者取代或未取代的C1-C4烷硫基，并且A为包括杂芳基的官能团，所述杂芳基包括至少一个硫原子。

公开(公告)号：CN106977673A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

CPC classification number: C08F293/005 ,  B82Y40/00 ,  C08F12/20 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN101458461B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810183747.X

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金京泽 ,  金贤友 ,  尹东基

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。

公开(公告)号：CN101494161B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。

公开(公告)号：CN101494161A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。

公开(公告)号：CN1655065A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009433.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承铉 ,  裵恩美 ,  崔百洵 ,  全相文 ,  金大中 ,  尹广燮 ,  朴相圭 ,  金载昊 ,  李时镛 ,  金京美 ,  尹汝荣

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羟基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。