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公开(公告)号：CN103579500A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN103107283A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210447188.5
申请日：2012-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。
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公开(公告)号：CN102982842A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210213817.8
申请日：2012-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0076 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2211/5625 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN102956822A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210211660.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
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公开(公告)号：CN1200607A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN98108921.6
申请日：1998-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04J3/16
CPC classification number: H04Q11/0407 , H04L2012/5626 , H04L2012/5627 , H04Q11/0478 , H04Q2213/13031 , H04Q2213/13034 , H04Q2213/13097 , H04Q2213/13103 , H04Q2213/13106 , H04Q2213/13214 , H04Q2213/13216 , H04Q2213/13292 , H04Q2213/1336
Abstract: 一种通信系统中使用的时间接线器及其控制方法,采用16位数据总线来控制存储器,用9个低位代表关于输入端口和时隙的信息,用6个高位代表输出转换所需的信息,使用16位控制可以去掉现有的时间接线器中不必要的那些元件,从而简化了时间接线器的结构,并且可以缩短切换时间,另外,本发明的时间接线器还能够在时间接线器内部执行增益控制,而不需要外部增益控制过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427907B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810985594.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
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公开(公告)号：CN102347443B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN102194994A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059136.6
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法。该双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储层。所述两个双极存储层可经由设置在它们之间的中间电极彼此连接。所述两个双极存储层可具有相同的结构或者相对的结构。
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公开(公告)号：CN110945584B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880048401.0
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G10L25/87 , G06F1/3231 , G06F3/041 , G10L15/18 , G10L15/22 , H04R1/02 , G10L15/04 , G10L15/28 , H04R1/08 , G06F1/16 , G06F3/0488 , G06F3/16
Abstract: 电子设备包括：扬声器；麦克风；通信电路；可操作地连接到扬声器、麦克风和通信电路的处理器；以及可操作地连接到处理器的存储器。存储器存储有指令，该指令在被执行时使处理器：接收激活智能系统的用户输入；至少部分地基于电子设备的状态来确定通过麦克风接收用户话语的持续时间的至少一部分；在接收到用户输入之后通过麦克风接收第一用户话语；通过通信电路将与第一用户话语相关联的第一数据发送到外部服务器；以及通过通信电路从外部服务器接收第一响应。第一响应是至少部分地基于第一数据而生成的。
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公开(公告)号：CN109427907A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985594.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
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