公开(公告)号：CN117594597A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310665406.0

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹锡玄 ,  李敎旭 ,  李承勳 ,  朴乘汉

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域；基底，包括第一表面和第二表面；第一有源图案至第三有源图案，在第一单元区域中沿第一水平方向延伸，第一有源图案至第三有源图案沿第二水平方向彼此间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中沿第一水平方向延伸，第四有源图案沿第一水平方向与第二有源图案对准；有源切口，将第二有源图案和第四有源图案分离；源极/漏极区域，在第二有源图案上；掩埋轨道，在基底的第二表面上沿第一水平方向延伸，掩埋轨道在竖直方向上与第二有源图案和第四有源图案中的每个叠置；以及源极/漏极接触件，穿透基底和第二有源图案并将源极/漏极区域连接到掩埋轨道。

公开(公告)号：CN115206976A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111527279.5

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  李承勳 ,  权相德 ,  赵槿汇 ,  许盛祺

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案，位于基底上；位于第一有源图案上的一对第一源极/漏极图案以及位于所述一对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案，其中，第一沟道图案包括彼此堆叠并间隔开的多个半导体图案；第一栅电极，位于第一沟道图案上；第一栅极切割图案，与第一沟道图案相邻并且穿透第一栅电极；以及第一残留图案，位于第一栅极切割图案与第一沟道图案之间。第一残留图案覆盖第一沟道图案的所述多个半导体图案中的至少一个半导体图案的最外面的侧壁。第一栅电极包括在第一栅电极的上部分上的与第一残留图案竖直叠置的第一延伸部。

公开(公告)号：CN114823509A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111286592.4

申请日：2021-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度希 ,  金傔 ,  金真范 ,  金在文 ,  李承勳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种集成电路(IC)装置。所述集成电路(IC)装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一横向方向延伸；栅极线，在鳍型有源区上沿第二横向方向延伸；绝缘间隔件，覆盖栅极线的侧壁；源极/漏极区，位于与栅极线相邻的位置处；金属硅化物膜，覆盖源极/漏极区的顶表面；以及源极/漏极接触件，在第一横向方向上与栅极线分开并且绝缘间隔件位于源极/漏极接触件与栅极线之间。源极/漏极接触件包括与金属硅化物膜的顶表面接触的底接触段和一体地连接到底接触段的上接触段。在第一横向方向上底接触段的宽度大于上接触段的至少一部分的宽度。

公开(公告)号：CN114122116A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110947599.X

申请日：2021-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  金真范 ,  金傔 ,  金度希 ,  李承勳

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，在基底上沿第一方向延伸；沟道层，在有源区上彼此竖直间隔开；栅极结构，沿第二方向延伸并且与有源区相交，栅极结构围绕沟道层；源区/漏区，位于有源区上并且与沟道层接触；以及接触插塞，连接到源区/漏区，其中，源区/漏区包括：第一外延层，位于沟道层的侧表面上并且包括第一杂质；第二外延层，位于第一外延层上并且包括第一杂质和第二杂质；以及第三外延层，位于第二外延层上并且包括第一杂质，并且在水平剖视图中，第二外延层包括具有在第一方向上的沿着第二方向增大的厚度的外围部分。

公开(公告)号：CN111192923A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910489544.1

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张星旭 ,  李承勳 ,  郑秀珍 ,  曺荣大

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在有源区上；栅电极，与有源区交叉，在有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极/漏极区，与栅电极的两侧相邻，在有源区上，并与所述至少一个沟道层接触，其中，成对的源极/漏极区包括选择性外延生长(SEG)层，以及成对的源极/漏极区中的每个在第一方向上的最大宽度是有源区在第一方向上的宽度的1.3倍或者更小。