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公开(公告)号：CN100426380C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610076427.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/11
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头。该垂直磁记录头包括：数据记录模块，包括主极、返回极和在所述主极周围缠绕的线圈；数据再现模块，包括磁屏蔽层和位于磁屏蔽层之间的读取器件，其中，主极的下端的宽度在其向下的方向上逐渐减小，主极的下端包括第一部分和从第一部分延伸的第二部分，第一部分具有第一曲率的曲面，第二部分具有第二曲率的曲面。第一曲率可以等于第二曲率，或者也可以与第二曲率不同，在主极的下端的两侧还可包括磁屏蔽器件。
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公开(公告)号：CN101441873B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200810212611.7
申请日：2008-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质及其制造方法，为了增大磁记录介质的记录密度，所述磁记录介质被构造为通过连续地形成具有薄膜状的第一磁层和包括图案化的磁比特的第二磁层的多个磁层。第一磁层具有大于第二磁层的磁各向异性系数的磁各向异性系数。
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公开(公告)号：CN101034559B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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公开(公告)号：CN100456359C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610007314.X
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/1871
Abstract: 本发明提供了一种不对称的垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括用于从磁记录层读取数据的读头和用于将数据写在磁记录层上的写头。主磁极具有：第一表面，面向磁记录层的内侧；第二表面，与磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面向磁记录层的外侧，并且第一表面与第三表面不对称。第一表面和第三表面中的一个表面与第二表面可成大于90度的角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101339776A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810128288.5
申请日：2008-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/59627 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 提供一种磁记录介质、采用磁记录介质的硬盘驱动器(HDD)和测量HDD的写读(WR)偏移的方法。磁记录介质包括：磁盘基底和形成在磁盘基底的一个或者两个表面上的磁记录层，其中所述磁记录层包括：至少一个形成图案为多个数据磁道的图案区域，其中至少一个图案区域是由图案的磁性物质形成；和至少一个由连续磁性物质形成的连续区域，其中连续区域用于测量WR偏移。相应地，采用磁记录介质的HDD可以纠正磁头的WR偏移，而无需大的修改。
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公开(公告)号：CN100440318C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610001962.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278
Abstract: 本发明提供了一种磁记录头及制造该磁记录头的方法。所述方法包括：在第一绝缘层上依次形成第一磁层和绝缘帽层；在绝缘帽层上形成期望宽度的掩模图案，蚀刻第一磁层和绝缘帽层，直到暴露第一绝缘层，从而形成梯形分层部分；在第一绝缘层上沉积绝缘材料形成第二绝缘层以掩盖梯形分层部分的外围；在所述第二绝缘层上形成第二磁层。
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公开(公告)号：CN101046982A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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公开(公告)号：CN1838241A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610001962.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278
Abstract: 本发明提供了一种磁记录头及制造该磁记录头的方法。所述方法包括：在第一绝缘层上依次形成第一磁层和绝缘帽层；在绝缘帽层上形成期望宽度的掩模图案，蚀刻第一磁层和绝缘帽层，直到暴露第一绝缘层，从而形成梯形分层部分；在第一绝缘层上沉积绝缘材料形成第二绝缘层以掩盖梯形分层部分的外围；在所述第二绝缘层上形成第二磁层。
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