公开(公告)号：CN115602693A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210800704.1

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基 ,  南宫真雄 ,  宋炫锡 ,  权炯根 ,  金范锡

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：感光元件；设置在感光元件上的平面化层；设置在平面化层上的滤色器阵列层，滤色器阵列层包括滤色器；以及设置在滤色器阵列层上的微透镜，其中，滤色器包括绿色滤波器、蓝色滤波器和红色滤波器，其中，对于500nm至570nm的绿光波长范围，绿色滤波器的折射率大于1.7。

公开(公告)号：CN115514908A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210609965.5

申请日：2022-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰汉 ,  朴天昊 ,  崔宰镐 ,  金范锡 ,  金正生 ,  李允基

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：像素阵列，包括在与基底的上表面平行的方向上布置的多个像素，所述多个像素中的每个包括至少一个光电二极管、在所述至少一个光电二极管上方的滤色器和在所述至少一个光电二极管下方的像素电路；以及逻辑电路，被配置为从所述多个像素获取像素信号。所述多个像素包括均具有红色滤色器的红色像素、均具有绿色滤色器的绿色像素以及均具有蓝色滤色器的蓝色像素，并且包括在设置于与像素阵列的中心分开第一距离的第一区域中的第一红色像素中的第一红色滤色器的尺寸大于包括在设置于与像素阵列的中心分开第二距离的第二区域中的第二红色像素中的第二红色滤色器的尺寸，第二距离大于第一距离。

公开(公告)号：CN115224062A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210395239.8

申请日：2022-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰汉 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：不同的第一聚焦像素和第二聚焦像素，所述第一聚焦像素和所述第二聚焦像素位于衬底中；第一相邻像素，所述第一相邻像素位于所述衬底中并且在正的第一方向上与所述第一聚焦像素相邻，在所述第一聚焦像素与所述第一相邻像素之间不存在像素；第一微透镜，所述第一微透镜覆盖所述第一相邻像素；第二相邻像素，所述第二相邻像素位于所述衬底中并且在所述正的第一方向上与所述第二聚焦像素相邻，在所述第二聚焦像素与所述第二相邻像素之间不存在像素；以及第二微透镜，所述第二微透镜覆盖所述第二相邻像素，并且所述第一微透镜的面积不同于所述第二微透镜的面积。

公开(公告)号：CN119836025A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411413016.5

申请日：2024-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金廷玹 ,  安正言卓 ,  李允基 ,  李准植

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括半导体衬底和器件隔离层，半导体衬底包括多个像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面，器件隔离层在沟槽中，沟槽穿过半导体衬底的第一表面和第二表面并将像素彼此分离。器件隔离层可以包括从第一表面朝向第二表面延伸的导电分隔层、插置在导电分隔层与半导体衬底之间的绝缘衬垫、以及在从第二表面到第一表面的方向上延伸并且接触导电分隔层的盖分隔层。

公开(公告)号：CN112929585B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202011036929.1

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  李允基 ,  沈殷燮 ,  李景镐 ,  金范锡 ,  金泰汉

IPC: H04N25/704 ,  H04N23/67 ,  H04N25/60 ,  H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

公开(公告)号：CN119317210A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410824891.6

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊城 ,  朴钟勋 ,  李允基

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：包括像素阵列区域的半导体基板，像素阵列区域包括中心像素区域和在平面图中围绕中心像素区域的边缘像素区域；在像素阵列区域上的滤色器组，滤色器组中的每个滤色器组包括布置成相同数量的行和列的滤色器；以及分别覆盖滤色器组的微透镜，其中，滤色器组包括在中心像素区域上的中心滤色器组和在边缘像素区域上的边缘滤色器组，每个边缘滤色器组中的滤色器中的至少两个滤色器具有彼此不同的厚度。

公开(公告)号：CN111435667B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201911091800.8

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  金正生 ,  俞铉根

IPC: H10F39/12

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体层，其包括第一部分和第二部分，该半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面；器件隔离层，其在半导体层中并限定多个像素；第一栅格图案，其在半导体层的第一部分上的第一表面上；以及遮光图案，其在半导体层的第二部分上的第一表面上。第一栅格图案的顶表面位于第一高度处，遮光图案的顶表面位于第二高度处，第一高度低于第二高度，并且第一高度和第二高度相对于半导体层的第一表面被限定。

公开(公告)号：CN118693112A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311567024.0

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷玹 ,  朴钟勳 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器可以包括：四个单位像素，以2×2结构构成共享像素；以及深沟槽隔离(DTI)结构，将四个单位像素彼此隔离。DTI结构可以包括在共享像素内部的内部DTI结构和围绕共享像素的外部DTI结构。内部DTI结构可以包括穿过共享像素的中心并且在第一方向或第二方向上延伸的第一DTI结构，以及在与第一DTI结构延伸所沿的方向垂直的方向上朝向共享像素的中心延伸的第二DTI结构。共享像素可以包括在第二DTI结构延伸所沿的方向上在第一DTI结构与第二DTI结构之间的DTI中心切割(DCC)区域。

公开(公告)号：CN111354755B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202010119013.6

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底；光电二极管，位于基底中；第一开口，位于光电二极管上方；多个子膜，覆盖第一开口，其中，所述多个子膜包括第一子膜和第二子膜；遮光层，形成在所述多个子膜上方；第二开口，形成在遮光层中；平坦化层，形成在遮光层上方；以及透镜，设置在平坦化层上方，其中，第一开口与第二开口竖直地对准。

公开(公告)号：CN115566033A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210750098.7

申请日：2022-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金甫省 ,  金范锡 ,  朴惠涓 ,  裵庭敏 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，所述基板具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，所述基板上布置有多个单位像素，所述多个单位像素形成在平行于所述第一表面的方向上的正常像素、自动对焦像素和补偿像素；光电二极管，所述光电二极管在所述多个单位像素中的每一者中设置在所述基板中；以及器件隔离层，所述器件隔离层设置在所述多个单位像素之间。所述单位像素包括通过网格彼此隔开的滤色器和设置在所述滤色器上的微透镜。所述补偿像素设置在所述自动对焦像素的一侧，并且包括补偿微透镜和透明滤色器，所述补偿微透镜小于所述正常像素中包括的正常微透镜，所述透明滤色器通过小于所述正常像素中包括的正常网格的补偿网格与相邻的滤色器隔开。