公开(公告)号：CN111146279B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201911021012.1

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  朴钟昊 ,  金完敦 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。

公开(公告)号：CN114078844A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110953205.1

申请日：2021-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵洙瀯 ,  朴钟昊 ,  李东洙 ,  金完敦

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，设置在衬底上；场绝缘膜，设置在第一有源图案和第二有源图案之间；与第一有源图案交叉的第一栅极结构；以及与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中第一栅极结构包括在第一有源图案上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一上插入膜以及在第一上插入膜上的第一上导电膜，第二栅极结构包括在第二有源图案上的第二栅极绝缘膜、在第二栅极绝缘膜上的第二上插入膜以及在第二上插入膜上的第二上导电膜。第一上插入膜和第二上插入膜中的每个可以包括铝氮化物膜。第一上导电膜和第二上导电膜中的每个可以包括铝。

公开(公告)号：CN112531014A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010971697.2

申请日：2020-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟昊 ,  宋在烈 ,  金完敦 ,  李炳训 ,  M.哈桑

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。

公开(公告)号：CN111146279A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911021012.1

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  朴钟昊 ,  金完敦 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。