公开(公告)号：CN105895698B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106024784B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201610149440.2

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  刘庭均 ,  朴永俊 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。

公开(公告)号：CN110622389A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880032445.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  朴宰贤 ,  P.帕特拉

IPC: H02J7/35 ,  H02S40/38 ,  H02M3/155 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  G06F1/16

Abstract: 公开了电子设备，所述电子设备包括：聚合物，所述聚合物包括铁电体和布置在铁电体中的量子点；至少一个太阳能电池，被配置为通过聚合物接收光并将光转换成电能；以及电池，被配置为利用来自至少一个太阳能电池的电能充电。

公开(公告)号：CN107078666A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059778.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  朴镇亨 ,  朴允权 ,  徐昊成 ,  权相旭

IPC: H02N1/04 ,  H02N1/08

Abstract: 本文公开了能量采集器。所公开的能量采集器包括第一充电构件和第二充电构件，其中，第一充电构件包括多个第一突出部，第二充电构件包括布置在第一突出部之间的多个第二突出部，第二突出部包括与第一突出部的材料不同的材料。当第一充电构件和第二充电构件中的至少一个移动时，第一突出部的侧表面与第二突出部的侧表面彼此接触，或者第一突出部的侧表面和第二突出部的侧表面之间的间隙改变。能量采集器根据接触或间隙改变产生电能。

公开(公告)号：CN105895698A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN101217184A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710152487.5

申请日：2007-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙炳熙 ,  朴商喆 ,  南政圭 ,  郑源哲 ,  朴永俊 ,  姜龙洙 ,  李龙键

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01G9/20 ,  H01G9/022 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01G9/2009 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供使用离子结合的低聚物络合物的染料敏化太阳能电池。该染料敏化太阳能电池包括电解质，其包括在分子两端具有含氮杂原子的C5－30杂芳基作为碱性官能团的第一低聚物，该第一低聚物与在分子两端具有选自羧酸、磷酸和磺酸的酸性官能团的第二低聚物混合，从而形成盐，其然后产生构成所述电解质的离子结合的低聚物络合物。所述太阳能电池表现出优异的机械性能，可易于制造，并具有高的能量转换效率。

公开(公告)号：CN101075660A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710096514.1

申请日：2007-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷成 ,  朴永俊 ,  朴商喆 ,  南政圭 ,  朴柱哲

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01M14/00 ,  H01G9/20 ,  H01G9/04 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2013 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明公开了一种通过抑制电子的再结合反应而改善光电转换效率的半导体电极。该半导体电极包括由衬底和涂敷于该衬底上的导电材料组成的透明电极，以及形成于该透明电极上的金属氧化物层，其中金属氧化物层含有磷酸酯。本发明另外公开了使用该半导体电极的太阳能电池。