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公开(公告)号：CN101104624B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200710129077.9
申请日：2007-07-11
IPC: C07F7/30
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种锗(Ge)化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方法，以及使用该Ge化合物制备的相变存储器件。
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公开(公告)号：CN101106177B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
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公开(公告)号：CN101106177A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
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公开(公告)号：CN101106173A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101022.7
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45523 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。
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