公开(公告)号：CN119725333A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410558969.4

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪尚石 ,  金材省 ,  金廷锡 ,  金太昱 ,  李预珍 ,  崔朱伶

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装，可以包括半导体芯片、半导体芯片上的再分布层、覆盖再分布层的保护图案、以及再分布层上的连接端子。再分布层可以包括再分布层的顶表面上的再分布焊盘，并且再分布焊盘可以包括第一焊盘和第一焊盘上的第二焊盘。第二焊盘可以具有倾斜并且延伸到第一焊盘的顶表面的侧表面，并且保护图案可以与第二焊盘的侧表面间隔开，并且可以具有倾斜并且延伸到第一焊盘的顶表面的侧表面。

公开(公告)号：CN110875273B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201910358470.8

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳镐 ,  崔在薰 ,  崔朱伶

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN111146159A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911074804.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  金炳镐 ,  金兑昱 ,  辛成真 ,  崔在薰 ,  洪尚石

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。

公开(公告)号：CN110896061A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910389722.3

申请日：2019-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在薰 ,  李斗焕 ,  崔朱伶 ,  韩成 ,  金炳镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。