公开(公告)号：CN113051098A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011260929.X

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  宋太铉 ,  曹贤相

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N20/00

Abstract: 根据一种使用机器学习来控制非易失性存储器设备的操作的方法，通过使用机器学习模型执行推断操作来确定非易失性存储器设备的操作条件。收集基于特征信息和错误信息生成的训练数据，其中错误信息指示非易失性存储器设备的错误校正码(ECC)解码的结果。通过基于训练数据执行学习操作来更新机器学习模型。通过在存储系统中收集训练数据并基于训练数据执行学习操作和推断操作来提供针对各个用户环境的最优操作条件。

公开(公告)号：CN102411987B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110280452.6

申请日：2011-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊

IPC: G11C16/02 ,  G11C29/42

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。

公开(公告)号：CN119847813A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410949475.9

申请日：2024-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  金知皓 ,  薛昶圭 ,  宋柔锡 ,  金大旭

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 一种存储器系统，包括半导体存储器设备和控制半导体存储器设备的存储器控制器。该半导体存储器设备包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列被划分为在第一方向和第二方向上布置的多个子阵列块。存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎。在写入操作中，ECC引擎通过对包括多个子数据单元的用户数据执行ECC编码来生成奇偶校验数据，通过基于映射信息交织子数据单元来生成主数据，使得将被存储在目标子阵列块的一行中的两个子数据单元包括在一个符号中。映射信息指示多个子数据单元与存储多个子数据单元的目标子阵列块的行之间的映射关系。

公开(公告)号：CN114664367A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111227999.X

申请日：2021-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹钟轮 ,  宋弦钟 ,  崔城赫 ,  孙弘乐

IPC: G11C29/42 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及执行该方法的存储设备。在预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法中，执行读取序列。所述读取序列包括多个读取操作，所述多个读取操作中的至少一个读取操作被顺序地执行，直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据。生成序列类别和纠错码(ECC)解码信息。基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段。当确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段时，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测。当确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。

公开(公告)号：CN113053441A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011410313.6

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩泫升 ,  崔城赫 ,  罗渶锡 ,  孙弘乐 ,  宋太铉 ,  全甫皖

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/22 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。

公开(公告)号：CN112395128A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010790981.X

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东旻 ,  金玟昱 ,  罗渶锡 ,  宋太铉 ,  崔城赫 ,  孙弘乐

IPC: G06F11/10 ,  G11C16/04 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种存储器控制器的操作方法。该操作方法包括：接收第一读取数据和第二转换信息，第二转换信息包括通过基于线性运算转换第二读取数据而获得的数据，并且第一读取数据和所述第二读取数据包括从相同存储器单元读取的数据；基于线性运算转换第一读取数据以生成第一转换信息；对第一转换信息和第二转换信息执行逻辑运算以生成运算信息；对运算信息执行线性运算的逆运算以生成可靠性信息；以及基于第一读取数据和可靠性信息，纠正第一读取数据的错误。