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公开(公告)号：CN108666417A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN102104055B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010598271.3
申请日：2010-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/16 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。
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公开(公告)号：CN101373632A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810146351.8
申请日：2008-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。
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公开(公告)号：CN107665947B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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公开(公告)号：CN112054119A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010423728.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。
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公开(公告)号：CN107732007A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679593.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
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公开(公告)号：CN107275357A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710196690.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/16
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN101373632B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810146351.8
申请日：2008-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。
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