公开(公告)号：CN102169825A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036452.1

申请日：2011-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  吴怜默 ,  南瑞祐 ,  全祐撤 ,  李周范 ,  李命柱

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：提供可图案化层；在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案；在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层；在界面层上形成平坦化层；在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案；利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案；利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。

公开(公告)号：CN119789519A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411352136.9

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  申宪宗 ,  李上羲

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 在根据实施例的集成电路器件及其制造方法中，在包括用于具有基于缩小尺寸而减小的面积的器件区域的背面配电网络在内的结构中，接触融合桥形成在源极/漏极接触件上，并且因此，可以降低制造工艺的难度并且可以增强电特性。

公开(公告)号：CN119133142A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410318738.6

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  李义福

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括下接线结构、在下接线结构上并包括上接线沟槽的上层间绝缘膜以及在上接线沟槽中的上接线结构。上接线结构包括上阻挡结构和在上阻挡结构上的上填充膜。上阻挡结构包括沿着上接线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分和沿着上接线沟槽的底面延伸的底部分。上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜。上阻挡结构的侧壁部分包括二维材料(2D材料)，并且上阻挡结构的底面没有二维材料。

公开(公告)号：CN118016595A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311423533.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  姜锡明 ,  南瑞祐

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成导电图案，导电图案上分别形成有停止层，衬底包括具有第一图案密度的第一区域和具有第二图案密度的第二区域，并且第二图案密度低于第一图案密度；在导电图案上形成第一层间绝缘层；暴露第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分，并且在第二区域上形成光刻胶图案；蚀刻第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分；执行第一抛光，以暴露停止层中在第一区域上的停止层的上表面；蚀刻停止层中在第一区域上的停止层；在导电图案上形成第二层间绝缘层；以及执行第二抛光，以暴露导电图案中在第一区域上的导电图案的上表面。